| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·TCO 薄膜简介 | 第10页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第10-12页 |
| ·ZnO 的晶体结构及本征物性 | 第10-12页 |
| ·ZnO 的电学特性 | 第12页 |
| ·ZnO 的光学特性 | 第12页 |
| ·ZnO:Al 薄膜的基本性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO:Al 薄膜的结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO:Al 薄膜的研究现状及应用 | 第13-14页 |
| ·本论文研究的主要目的及意义 | 第14页 |
| ·本论文主要研究内容及创新点 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第16-27页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第16页 |
| ·化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| ·分子束外延法 | 第17页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17页 |
| ·溅射法 | 第17-18页 |
| ·制备方法优缺点比较 | 第18-19页 |
| ·JGP-560 型双室磁控溅射沉积系统 | 第19-23页 |
| ·概述 | 第19-20页 |
| ·系统工作条件以及技术指标 | 第20页 |
| ·工作气路系统 | 第20-21页 |
| ·操作流程及注意事项 | 第21-23页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第23-27页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第25页 |
| ·近红外/可见/紫外分光光度计 | 第25-27页 |
| 第三章 退火处理对射频磁控溅射制备 ZnO 薄膜性能的影响 | 第27-37页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·ZnO 薄膜样品制备 | 第27-29页 |
| ·基片的清洗 | 第27-28页 |
| ·实验条件及制备流程 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-35页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析 | 第29-30页 |
| ·薄膜的 SEM 分析 | 第30-31页 |
| ·退火前后薄膜成分分析 | 第31-32页 |
| ·退火前后薄膜光致发光分析 | 第32-34页 |
| ·退火前后薄膜薄膜透射谱分析 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 磁控溅射制备 Al 掺杂 ZnO 薄膜及其性能研究 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·ZnO:Al 薄膜样品制备 | 第37-38页 |
| ·基片的清洗 | 第37页 |
| ·设计思路与实验条件 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-47页 |
| ·AZO 薄膜成分分析 | 第38-39页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第39-42页 |
| ·薄膜的 SEM 分析 | 第42-43页 |
| ·光致发光分析 | 第43-45页 |
| ·透射谱分析 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55页 |