| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| ·霍尔效应与反常霍尔效应 | 第16-18页 |
| ·量子霍尔效应与量子反常霍尔效应 | 第18-19页 |
| ·量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体 | 第19-22页 |
| ·量子自旋霍尔效应 | 第19-20页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第20-22页 |
| ·介观量子输运常用的研究方法 | 第22-28页 |
| ·非平衡格林函数方法与Landauer-Butiker公式 | 第22-26页 |
| ·散射矩阵与波函数匹配方法 | 第26-28页 |
| ·本文研究内容及科学意义 | 第28-30页 |
| 第二章 强拓扑绝缘量子阱电子自旋极化及输运性质的电场调控 | 第30-42页 |
| ·研究背景与科学意义 | 第30-31页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第31-33页 |
| ·数值结果与讨论 | 第33-41页 |
| ·自旋依赖的态密度与极化率 | 第34-36页 |
| ·自旋依赖的电导与选择效率 | 第36-39页 |
| ·电子隧穿磁阻的电场调控 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 铁磁绝缘体对强拓扑绝缘体表面态电子输运性质的调控 | 第42-50页 |
| ·研究背景与科学意义 | 第42页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第42-45页 |
| ·数值结果和讨论 | 第45-49页 |
| ·单铁磁绝缘体调制下的透射几率 | 第45-46页 |
| ·双铁磁绝缘体对体系透射几率的影响 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 太赫兹圆偏振光调制下强拓扑绝缘体表面态的量子跃迁 | 第50-60页 |
| ·研究背景与科学意义 | 第50-52页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第52-55页 |
| ·数值结果与讨论 | 第55-58页 |
| ·体系结构参数对光学性质的影响 | 第55-57页 |
| ·外加电场对体系光学吸收谱的调制 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结和展望 | 第60-63页 |
| ·全文总结 | 第60-61页 |
| ·本论文的创新点 | 第61页 |
| ·后续工作展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第71页 |
