| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题背景及研究目的 | 第11-12页 |
| ·研究进展 | 第12-15页 |
| ·国内外研究现状及分析 | 第12-13页 |
| ·In_xGa_(1-x)N、InN 纳米材料的制备方法 | 第13-14页 |
| ·本课题所选用的制备方法 | 第14-15页 |
| ·In_xGa_(1-x)N 材料的应用前景 | 第15页 |
| ·In_xGa_(1-x)N 纳米材料的应用前景 | 第15页 |
| ·InN 纳米材料的应用前景 | 第15页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 实验材料及表征方法 | 第17-22页 |
| ·实验药品和仪器 | 第17-18页 |
| ·实验药品 | 第17页 |
| ·实验仪器 | 第17-18页 |
| ·实验设备简介 | 第18页 |
| ·实验方法 | 第18-19页 |
| ·单温区化学气相沉积法 | 第19页 |
| ·双温区化学气相沉积法 | 第19页 |
| ·实验表征分析方法及样品制备 | 第19-21页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第20页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第20页 |
| ·傅里叶红外吸收光谱(FT-IR) | 第20-21页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 氮镓铟纳米材料的制备与表征 | 第22-55页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·单温区化学气相沉积法制备 In_xGa_(1-x)N | 第22-24页 |
| ·实验药品及仪器 | 第22-23页 |
| ·单温区法 In_xGa_(1-x)N 样品 S0 的制备 | 第23页 |
| ·考察不同因素对样品 S0 的影响 | 第23-24页 |
| ·样品的表征 | 第24页 |
| ·单温区 CVD 法的表征与分析 | 第24-42页 |
| ·不同反应温度所得样品的表征分析 | 第24-31页 |
| ·使用不同的催化剂所得样品的表征分析 | 第31-35页 |
| ·加入 Al 表面活性剂样品的表征分析 | 第35-41页 |
| ·样品 S0 的光学性质研究 | 第41-42页 |
| ·单温区 CVD 法的反应机理分析 | 第42页 |
| ·双温区化学气相沉积法制备 In_xGa_(1-x)N | 第42-44页 |
| ·实验药品及设备 | 第42-43页 |
| ·双温区法 In_xGa_(1-x)N 样品 C0 的制备 | 第43-44页 |
| ·考察不同因素对样品 C0 的影响 | 第44页 |
| ·样品的表征 | 第44页 |
| ·双温区 CVD 法的表征与分析 | 第44-53页 |
| ·不同缓冲层温度样品的表征分析 | 第44-49页 |
| ·共同成核实验样品的表征分析 | 第49-52页 |
| ·样品 C0 的光学性质研究 | 第52页 |
| ·双温区 CVD 法的反应机理分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 氮化铟纳米线的制备与表征 | 第55-64页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验部分 | 第55-57页 |
| ·实验药品及仪器 | 第55-56页 |
| ·样品的制备 | 第56页 |
| ·考察不同因素对 InN 纳米线的影响 | 第56-57页 |
| ·样品的表征 | 第57页 |
| ·制备 InN 纳米线的结果与讨论 | 第57-63页 |
| ·温度因素实验的表征分析 | 第57-59页 |
| ·时间因素实验的表征分析 | 第59-62页 |
| ·样品 N0 的光学性质研究 | 第62页 |
| ·InN 纳米线的反应机理分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 作者简介 | 第72页 |
