| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 研究背景 | 第8-15页 |
| ·ZnO 材料的基本特性 | 第8-10页 |
| ·基于ZnO/GaN 异质结蓝光LED 的研究进展 | 第10-14页 |
| ·含纳米线阵列的LED 结顶电极制备方法的研究现状 | 第14页 |
| ·本论文研究目的及科学意义 | 第14-15页 |
| 第二章 实验方法及样品表征手段 | 第15-22页 |
| ·相关实验方法 | 第15-18页 |
| ·水热合成法 | 第15页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第15-17页 |
| ·电阻热蒸发法 | 第17-18页 |
| ·相关表征手段 | 第18-22页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第18-19页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第19-20页 |
| ·电致发光谱（EL） | 第20-21页 |
| ·能量色散X 射线光谱（EDX） | 第21-22页 |
| 第三章 ZnO/GaN 异质结LED 的制备及表征 | 第22-33页 |
| ·n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的制备 | 第22-23页 |
| ·衬底清洗 | 第22页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列的合成 | 第22页 |
| ·ZnO/GaN 异质结结顶电极的制备 | 第22-23页 |
| ·器件欧姆接触的制备 | 第23页 |
| ·n-ZnO/p-GaN 异质结器件结构表征 | 第23-27页 |
| ·器件的扫描电镜照片（SEM） | 第23-26页 |
| ·氧化石墨薄膜的表征 | 第26-27页 |
| ·n-ZnO/p-GaN 异质结器件光学及电学性质的研究 | 第27-31页 |
| ·器件的光致发光谱（PL） | 第27-28页 |
| ·器件的I-V 特性和电致发光谱（EL） | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 n-ZnO/p-GaN 异质结LED 发光原理的研究 | 第33-37页 |
| ·n-ZnO/p-GaN 异质结能带结构分析 | 第33-34页 |
| ·n-ZnO/p-GaN 异质结LED 的发光原理 | 第34-36页 |
| ·器件在正向偏压下的电致发光机制 | 第34-35页 |
| ·器件在反向偏压下的电致发光机制 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 致谢 | 第41页 |
