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WCDMA制式手机用Band V声表双工器研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-16页
    1.1 课题背景第8-12页
        1.1.1 课题背景简介第8-10页
        1.1.2 4G通信频段的划分第10页
        1.1.3 中国移动手机频段要求第10-11页
        1.1.4 市场前景评估第11-12页
    1.2 声表双工器的国内外研究现状第12-14页
        1.2.1 国外研究现状第12-13页
        1.2.2 国内研究现状第13-14页
    1.3 本文研究的内容及意义第14-15页
        1.3.1 研究对象和具体内容第14页
        1.3.2 设计模式选取第14页
        1.3.3 封装工艺介绍第14-15页
    1.4 论文的结构安排第15-16页
第2章 梯形结构和LCDMS结构滤波器第16-24页
    2.1 声表滤波器设计模式简介第16-17页
    2.2 梯形结构滤波器第17-20页
        2.2.1 阻抗元滤波器第17-18页
        2.2.2 声表谐振器的等效电路第18-19页
        2.2.3 梯形结构滤波器第19-20页
        2.2.4 梯形结构滤波器的特点第20页
    2.3 纵向耦合双模滤波器第20-22页
        2.3.1 LCDMS结构简介第20-21页
        2.3.2 LCDMS结构的特点第21-22页
    2.4 梯形和LCDMS两种结构的比较第22-23页
        2.4.1 LCDMS结构的特点第22页
        2.4.2 两种结构滤波器典型频响比较第22-23页
    本章小结第23-24页
第3章 Band V双工器芯片设计第24-34页
    3.1 发射通道芯片设计第24-27页
        3.1.1 发射通道芯片设计目标第24页
        3.1.2 发射通道滤波器设计原理第24-25页
        3.1.3 发射通道滤波器仿真第25-27页
    3.2 接收通道芯片设计第27-30页
        3.2.1 接收通道芯片设计目标第27页
        3.2.2 接收通道滤波器设计原理第27-28页
        3.2.3 接收通道滤波器设计仿真第28-30页
    3.3 发射和接收的隔离设计第30-31页
        3.3.1 通道隔离设计简述第30页
        3.3.2 发射和接收滤波器的相互抑制第30-31页
        3.3.3 发射和接收滤波器相互隔离第31页
    3.4 芯片版图第31-33页
    本章小结第33-34页
第4章 芯片和封装工艺研究第34-54页
    4.1 芯片工艺研究第34-44页
        4.1.1 压电材料概述第34-35页
        4.1.2 基材的选择第35-37页
        4.1.3 流片工艺流程第37页
        4.1.4 工艺参数的选择第37-44页
        4.1.5 芯片性能中测第44页
    4.2 封装工艺研究第44-52页
        4.2.1 封装用基板第45-46页
        4.2.2 封装工艺流程第46-48页
        4.2.3 封装工艺参数的选择第48-52页
    4.3 工艺参数对双工器性能的影响第52-53页
    本章小结第53-54页
第5章 测试方案及测试结果第54-64页
    5.1 测试方案第54-55页
        5.1.1 测试原理图第54页
        5.1.2 测试工装设计第54-55页
        5.1.3 测试系统第55页
    5.2 测试结果及分析第55-59页
        5.2.1 频率响应特性第55-56页
        5.2.2 带内波动和隔离第56页
        5.2.3 驻波特性第56-57页
        5.2.4 幅度平衡和相位平衡第57页
        5.2.5 远带抑制第57-58页
        5.2.6 双工器电气特性汇总第58页
        5.2.7 测试结果分析第58-59页
    5.3 双工器在电路中的匹配第59-63页
    本章总结第63-64页
第6章 总结与展望第64-67页
    6.1 研究总结第64-65页
    6.2 前景展望第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-70页

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