| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-39页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·硅纳米线阵列的制备、性质及应用 | 第11-28页 |
| ·硅纳米线阵列的制备 | 第11-16页 |
| ·硅纳米阵列的性质 | 第16-20页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第20-28页 |
| ·柔性硅纳米线阵列的应用研究 | 第28-32页 |
| ·本论文的主要研究内容及意义 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 多层硅纳米线阵列制备和转移 | 第39-52页 |
| ·研究背景 | 第39-40页 |
| ·实验材料及表征手段 | 第40-41页 |
| ·实验材料 | 第40页 |
| ·分层硅纳米线阵列的制备及表征 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-49页 |
| ·分层硅纳米线阵列的制备 | 第41-45页 |
| ·多层硅纳米线阵列的制备及转移 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 制备硅纳米线阵列基底的充分利用及转移后阵列的 SERS 应用 | 第52-63页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验材料 | 第53-54页 |
| ·制备分层硅纳米线阵列的材料 | 第53页 |
| ·硅纳米线阵列的表面修饰溶液 | 第53页 |
| ·SERS 待测目标分子及实验仪器 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-60页 |
| ·大面积分层硅纳米线阵列的制备与转移 | 第54-55页 |
| ·制备硅纳米线阵列单晶硅基底的循环利用 | 第55-56页 |
| ·转移后的硅纳米线阵列的 SERS 应用 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 柔性硅纳米线阵列/石墨烯异质结器件的光电应用 | 第63-72页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-65页 |
| ·硅纳米线阵列的制备与转移 | 第64页 |
| ·石墨烯薄膜的制备及转移 | 第64页 |
| ·器件的制备和表征 | 第64-65页 |
| ·实验结果与讨论 | 第65-70页 |
| ·硅纳米线阵列的转移 | 第65-66页 |
| ·石墨烯的表征及器件的性能测试 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |