| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·QLED概述 | 第12-18页 |
| ·QLED的结构 | 第12-14页 |
| ·QLED分类 | 第14-18页 |
| ·QLED的工作原理 | 第18页 |
| ·载流子传输层 | 第18-22页 |
| ·空穴传输层 | 第19-20页 |
| ·电子传输层 | 第20-21页 |
| ·制备方法 | 第21-22页 |
| ·胶体量子点 | 第22-27页 |
| ·热注入法制备胶体量子点 | 第23-24页 |
| ·微反应合成胶体量子点 | 第24-26页 |
| ·胶体量子点的发光原理 | 第26-27页 |
| ·胶体量子点在QLED中的优势 | 第27页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第27-29页 |
| 第二章 基于不同方法制备形貌不同的空穴传输层NiO | 第29-38页 |
| ·水热法制备NiO | 第29-30页 |
| ·实验原料 | 第29-30页 |
| ·实验过程 | 第30页 |
| ·磁控溅射法制备NiO | 第30-31页 |
| ·实验原料 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第31-32页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第31页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第31-32页 |
| ·表面轮廓仪 | 第32页 |
| ·紫外-可见透射光谱(UV-Vis) | 第32页 |
| ·霍尔效应(Hall) | 第32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·成分结构分析 | 第32-33页 |
| ·微观形貌分析 | 第33-35页 |
| ·样品厚度分析 | 第35页 |
| ·光学性能分析 | 第35-36页 |
| ·电学性能分析 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 基于不同方法制备形貌不同的空穴传输层WO_3 | 第38-46页 |
| ·水热法制备WO_3 | 第38-40页 |
| ·实验原料 | 第38-39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·磁控溅射法制备WO_3 | 第40页 |
| ·实验原料 | 第40页 |
| ·实验过程 | 第40页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·成分结构分析 | 第40-41页 |
| ·微观形貌分析 | 第41-43页 |
| ·样品厚度分析 | 第43页 |
| ·光学性能分析 | 第43-44页 |
| ·电学性能分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 用于发光层的胶体量子点的制备 | 第46-54页 |
| ·实验部分 | 第46-48页 |
| ·实验原料 | 第46-47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-53页 |
| ·XRD图谱分析 | 第48页 |
| ·荧光性能分析 | 第48-50页 |
| ·荧光稳定性和量子效率 | 第50-52页 |
| ·量子点的形貌分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 电子传输层的制备以及QLED器件组装 | 第54-59页 |
| ·磁控溅射法制备电子传输层AZO | 第54-55页 |
| ·实验原料 | 第54页 |
| ·实验过程 | 第54-55页 |
| ·AZO薄膜的性能表征 | 第55-56页 |
| ·QLED器件组装和性能测试 | 第56-58页 |
| ·器件组装 | 第56-57页 |
| ·性能测试 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 全文总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录 攻读硕士期间获得成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |