| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| ·课题研究背景 | 第10页 |
| ·ZnO 纳米线阵列的研究进展 | 第10-11页 |
| ·SnS 半导体器件的研究进展 | 第11-12页 |
| ·ZnO/SnS 纳米异质结阵列的研究进展 | 第12-13页 |
| ·本论文主要研究的内容和意义 | 第13-15页 |
| 2 ZnO 纳米线阵列的制备及性能表征 | 第15-33页 |
| ·ZnO 纳米阵列的基本特性 | 第15-16页 |
| ·ZnO 纳米阵列的制备方法 | 第16-18页 |
| ·ZnO 纳米阵列的制备 | 第18-20页 |
| ·实验仪器与药品 | 第18页 |
| ·制备过程 | 第18-20页 |
| ·结果与讨论 | 第20-33页 |
| ·实验仪器与药品 | 第21-24页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)形貌分析 | 第24-29页 |
| ·光致发光（PL）分析 | 第29-33页 |
| 3 SnS 半导体器的制备及性能表征 | 第33-51页 |
| ·SnS 半导体器件的基本特性 | 第33-34页 |
| ·真空蒸发法制备 SnS 半导体器件 | 第34-41页 |
| ·真空蒸发法制备的原理 | 第34页 |
| ·真空蒸发法制备 SnS 半导体器件实验过程 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·电沉积法制备 SnS 半导体器件 | 第41-43页 |
| ·实验仪器与药品 | 第41页 |
| ·制备过程 | 第41-43页 |
| ·SnS 半导体器件的样品的表征 | 第43-47页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）形貌分析 | 第43-46页 |
| ·射线衍射(XRD)结构分析 | 第46-47页 |
| ·光致发光（PL）分析 | 第47页 |
| ·真空蒸发法和电沉积法两种方法制备的 SnS 的表征 | 第47-51页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第47-48页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第48-50页 |
| ·光致发光（PL）分析 | 第50-51页 |
| 4 ZnO/SnS 纳米异质结阵列的光电特性研究 | 第51-61页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·pn 结简介 | 第51-52页 |
| ·ZnO/SnS 纳米异质结阵列的制备 | 第52-55页 |
| ·ZnO/SnS 纳米异质结阵列的 pn 结 IV 特性研究 | 第55-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |