| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第10-13页 |
| ·ZnO 的光学特性 | 第12页 |
| ·ZnO 的气敏特性 | 第12页 |
| ·ZnO 的压电特性 | 第12页 |
| ·ZnO 中存在的本征缺陷 | 第12-13页 |
| ·p 型 ZnO 薄膜及 ZnO/GaN 异质结器件的研究进展 | 第13-20页 |
| ·p 型 ZnO 薄膜的研究进展 | 第13-14页 |
| ·ZnO/GaN 异质结器件的研究进展 | 第14-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 2 ZnO 薄膜的制备方法和表征手段 | 第22-30页 |
| ·ZnO 薄膜的几种制备方法 | 第22-24页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第23页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第23-24页 |
| ·磁控溅射（Magnetron sputtering） | 第24页 |
| ·主要表征方法 | 第24-30页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第24-25页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FE-SEM） | 第25-26页 |
| ·霍尔测量（Hall-effect measurement） | 第26-27页 |
| ·光吸收谱（Absorption spectrum） | 第27-28页 |
| ·光致发光（PL） | 第28-30页 |
| 3 不同 Sb 含量 p 型 ZnO 薄膜的制备和特性研究 | 第30-37页 |
| ·实验过程 | 第30-31页 |
| ·结构特性 | 第31-34页 |
| ·电学性质 | 第34页 |
| ·光学性质 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 4 p-ZnO/n-GaN 异质结器件的制备和特性研究 | 第37-41页 |
| ·p-ZnO/n-GaN 异质结器件的制备过程 | 第37-38页 |
| ·器件的光学性质 | 第38-39页 |
| ·器件的电学性质 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
