| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·概述 | 第10-13页 |
| ·无铅压电陶瓷的提出 | 第10-11页 |
| ·BT 基无铅压电陶瓷 | 第11-12页 |
| ·BaTiO_3的基本性质及研究现状 | 第12-13页 |
| ·计算材料的发展 | 第13-16页 |
| ·压电陶瓷的主要性能参数 | 第16-18页 |
| ·本论文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 基本理论知识和 ABINIT 程序包 | 第20-32页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-24页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理[26][27] | 第20-21页 |
| ·Kohn-Sham 方程[28] | 第21-22页 |
| ·交换关联泛函 | 第22-24页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第22-23页 |
| ·广义梯度近似（GGA） | 第23-24页 |
| ·平面波赝势方法 | 第24-27页 |
| ·平面波赝势方法 | 第24-26页 |
| ·Bloch 定理和能带电子的平面波基底展开 | 第26-27页 |
| ·自洽场计算 | 第27-28页 |
| ·晶体结构优化 | 第28-29页 |
| ·响应函数计算 | 第29-30页 |
| ·ABINIT 程序包 | 第30-32页 |
| 第三章 四方相 BaTiO_3压电特性的第一性原理研究 | 第32-42页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·计算参数与模型 | 第32-34页 |
| ·晶格参数与赝势 | 第32-33页 |
| ·截止动能的收敛性研究 | 第33-34页 |
| ·k 点网格的收敛性研究 | 第34页 |
| ·不同赝势下晶格结构优化 | 第34-35页 |
| ·能带结构与态密度 | 第35-37页 |
| ·不同赝势下压电和弹性系数 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-42页 |
| 第四章 Sn掺杂 BaTiO_3压电特性的第一性原理研究 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·计算参数与模型 | 第42-43页 |
| ·计算结果与分析 | 第43-50页 |
| ·杂质形成能 | 第43-44页 |
| ·晶体结构优化 | 第44-45页 |
| ·BaTi1-xSnxO3的能带结构 | 第45-46页 |
| ·BaTi1-xSnxO3的态密度和分波态密度 | 第46-49页 |
| ·BaTi1-xSnxO3的弹性系数和压电系数 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 研究生在读期间的研究成果 | 第60-61页 |
| 附录 A | 第61-62页 |
| 附录 B | 第62-63页 |
| 附录 C | 第63-64页 |
