化学气相沉积法合成GaN纳米线阵列及其光学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·GaN发展历史 | 第9-10页 |
| ·GaN基本性质 | 第10-12页 |
| ·物理性质 | 第10-11页 |
| ·化学性质 | 第11页 |
| ·光学性质 | 第11页 |
| ·电学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN纳米线的合成 | 第12-16页 |
| ·GaN纳米线的生长机制 | 第12-13页 |
| ·GaN纳米线制备方法 | 第13-16页 |
| ·GaN纳米阵列制备方法 | 第16-21页 |
| ·模板法 | 第16-19页 |
| ·催化剂法 | 第19-20页 |
| ·直接外延法 | 第20-21页 |
| ·选题依据和研究目标 | 第21-22页 |
| 2 实验 | 第22-26页 |
| ·实验主要试剂及衬底 | 第22页 |
| ·实验仪器设备 | 第22-24页 |
| ·实验所用检测设备 | 第24-26页 |
| 3 GaN纳米线的合成 | 第26-37页 |
| ·使用不同衬底合成GaN纳米线 | 第26-30页 |
| ·实验参数 | 第26-27页 |
| ·GaN产物的SEM分析 | 第27-28页 |
| ·GaN产物的XRD分析 | 第28-30页 |
| ·不同温度条件下合成GaN纳米线 | 第30-33页 |
| ·实验参数 | 第30页 |
| ·GaN产物的SEM分析 | 第30-31页 |
| ·GaN产物的XRD分析 | 第31-33页 |
| ·不同气流条件下合成GaN纳米线 | 第33-36页 |
| ·实验参数 | 第33页 |
| ·GaN产物SEM分析 | 第33-35页 |
| ·GaN产物XRD分析 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 GaN纳米线阵列的合成 | 第37-43页 |
| ·单层镀Al衬底上合成GaN纳米阵列 | 第37-39页 |
| ·氮化后蓝宝石衬底的SEM及XRD分析 | 第38页 |
| ·生成GaN纳米阵列的SEM及XRD分析 | 第38-39页 |
| ·在多层镀层上合成GaN纳米线阵列 | 第39-42页 |
| ·合成GaN纳米线阵列的SEM及XRD分析 | 第39-40页 |
| ·合成GaN纳米线阵列的TEM分析 | 第40-41页 |
| ·合成GaN纳米线阵列的CL分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 锑磷共掺杂GaN纳米线 | 第43-48页 |
| ·锑磷共掺杂GaN纳米线的合成 | 第43-44页 |
| ·SEM及XRD分析结果 | 第44-45页 |
| ·TEM及EDX分析结果 | 第45-46页 |
| ·CL分析结果 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
