| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·太赫兹技术研究背景 | 第8-10页 |
| ·外场作用下的物理系统 | 第10-12页 |
| ·本论文主要内容介绍 | 第12-13页 |
| 2 半导体性质的微观理论 | 第13-25页 |
| ·概述 | 第13-14页 |
| ·带间极化强度 | 第14-15页 |
| ·半导体中的费米能级 | 第15-16页 |
| ·半导体布洛赫方程 | 第16-21页 |
| ·等离子体屏蔽效应 | 第21-23页 |
| ·有限尺寸的影响 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 无外场时的量子阱性质 | 第25-39页 |
| ·概述 | 第25-29页 |
| ·自由电子气 | 第29-33页 |
| ·多体效应 | 第33-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 强 THz 脉冲场下的量子阱性质 | 第39-51页 |
| ·频域特性 | 第40-45页 |
| ·时域特性 | 第45-49页 |
| ·太赫兹场驱动调制器的设想 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 总结与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 A 屏蔽库伦势 | 第57-61页 |
| 附录 B 形式参数 | 第61-62页 |
| 附录 C 算法流程图 | 第62页 |