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强太赫兹电场下的半导体性质

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 绪论第8-13页
   ·太赫兹技术研究背景第8-10页
   ·外场作用下的物理系统第10-12页
   ·本论文主要内容介绍第12-13页
2 半导体性质的微观理论第13-25页
   ·概述第13-14页
   ·带间极化强度第14-15页
   ·半导体中的费米能级第15-16页
   ·半导体布洛赫方程第16-21页
   ·等离子体屏蔽效应第21-23页
   ·有限尺寸的影响第23-24页
   ·本章小结第24-25页
3 无外场时的量子阱性质第25-39页
   ·概述第25-29页
   ·自由电子气第29-33页
   ·多体效应第33-38页
   ·本章小结第38-39页
4 强 THz 脉冲场下的量子阱性质第39-51页
   ·频域特性第40-45页
   ·时域特性第45-49页
   ·太赫兹场驱动调制器的设想第49-50页
   ·本章小结第50-51页
5 总结与展望第51-52页
致谢第52-53页
参考文献第53-57页
附录 A 屏蔽库伦势第57-61页
附录 B 形式参数第61-62页
附录 C 算法流程图第62页

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