| 中文摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| ·纳米材料介绍 | 第14-19页 |
| ·纳米材料的种类 | 第14-15页 |
| ·纳米材料的特征 | 第15-19页 |
| ·纳米材料在生物医学领域的应用 | 第19-22页 |
| ·半导体纳米晶在发光LED 方面的应用 | 第22-24页 |
| ·半导体纳米晶在太阳能电池方面的应用 | 第24-25页 |
| ·本论文研究工作的思路、意义及论文主要内容 | 第25-29页 |
| ·选题思路及意义 | 第25-27页 |
| ·论文主要内容 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第二章 利用反向注入法大规模合成高质量的CdSe 纳米晶 | 第32-54页 |
| ·样品的制备与表征方法 | 第34-37页 |
| ·药品，装置，及实验方法 | 第34-35页 |
| ·前驱体溶液的制备 | 第35页 |
| ·具体实验过程 | 第35-36页 |
| ·表征仪器 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-46页 |
| ·前驱体种类和比例的影响 | 第37-39页 |
| ·纳米晶的生长速度 | 第39-43页 |
| ·尺寸分布的变化 | 第43-44页 |
| ·晶型结构分析 | 第44-45页 |
| ·电镜分析 | 第45-46页 |
| ·合成CdSe/ZnS 核壳结构纳米晶 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 第三章 利用十二烷基硫醇合成CdS, ZnS, CdS/ZnS 纳米晶 | 第54-70页 |
| ·样品的制备与表征方法 | 第55-57页 |
| ·药品 | 第55页 |
| ·表征仪器 | 第55页 |
| ·前驱体的制备 | 第55-56页 |
| ·合成CdS 和ZnS 纳米晶 | 第56页 |
| ·用以生长壳层的前驱体的制备 | 第56-57页 |
| ·合成CdS/ZnS 核壳结构纳米晶 | 第57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-66页 |
| ·CdS 的生成 | 第57页 |
| ·前驱体比例与反应温度对实验的影响 | 第57-59页 |
| ·CdS 纳米晶的本征荧光 | 第59-61页 |
| ·红外光谱分析 | 第61-63页 |
| ·合成小尺寸CdS 及ZnS 纳米晶 | 第63-64页 |
| ·XRD 分析 | 第64-65页 |
| ·透射电镜分析 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 合成CdS/ZnSe/ZnS II 型/I 型纳米晶 | 第70-92页 |
| ·II 型核壳结构的介绍 | 第71-72页 |
| ·纳米晶的合成与表征 | 第72-75页 |
| ·药品 | 第72-73页 |
| ·表征仪器 | 第73页 |
| ·合成CdS 纳米晶 | 第73-74页 |
| ·用以生长壳层的前驱体的制备 | 第74页 |
| ·生长ZnSe 和ZnS 壳层 | 第74-75页 |
| ·水相转移实验 | 第75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-86页 |
| ·纳米晶的结构与能级 | 第75-76页 |
| ·CdS 核的选取及其光学性质 | 第76页 |
| ·CdS/ZnSe 核壳结构纳米晶的光学性质调节 | 第76-78页 |
| ·纳米晶的量子效率调节 | 第78-81页 |
| ·XRD 分析 | 第81页 |
| ·透射电镜分析 | 第81-83页 |
| ·Cd 含量的质谱分析 | 第83页 |
| ·水相转移及稳定性研究 | 第83-86页 |
| ·纳米晶的大批量制备 | 第86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 第五章 纳米晶的稳定性以及光电性质研究 | 第92-108页 |
| ·包裹了厚的ZnS 壳层以后半导体纳米晶的稳定性 | 第92-100页 |
| ·药品与表征仪器 | 第93-94页 |
| ·CdSe 纳米晶的制备 | 第94页 |
| ·用以生长壳层的前驱体的制备 | 第94-95页 |
| ·生长ZnSe 和ZnS 壳层 | 第95页 |
| ·表面活性剂交换实验 | 第95页 |
| ·红外光谱分析 | 第95-96页 |
| ·XRD 晶型分析 | 第96-100页 |
| ·纳米晶的光电性质研究 | 第100-106页 |
| ·半导体纳米晶薄膜的制备 | 第100-102页 |
| ·薄膜光电性质的测量 | 第102-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 博士期间发表论文及申请专利 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
