| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| ·GaN 基紫外探测器的研究背景 | 第13-15页 |
| ·光电探测器的重要参数 | 第15-18页 |
| ·GaN 紫外探测器的研究进展 | 第18-24页 |
| ·GaN 基紫外探测器的优点 | 第18页 |
| ·GaN 基紫外探测器的分类和研究进展 | 第18-24页 |
| ·GaN 基紫外探测器研究中存在的问题及本文的工作 | 第24-26页 |
| 第二章 基础知识 | 第26-47页 |
| ·GaN 的基本性质 | 第26-30页 |
| ·GaN 化学性质 | 第26页 |
| ·GaN 的物理性质 | 第26-27页 |
| ·GaN 的能带结构及其光学性质 | 第27-29页 |
| ·GaN 与金属的接触 | 第29-30页 |
| ·GaN 材料的制备 | 第30-37页 |
| ·GaN 单晶材料的生长 | 第30-31页 |
| ·外延生长 | 第31-37页 |
| ·氮化镓的掺杂 | 第37页 |
| ·氮化硅的性质 | 第37-38页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第38-41页 |
| ·MOCVD 技术的发展 | 第38-39页 |
| ·MOCVD 的应用 | 第39页 |
| ·MOCVD 的原理及特点 | 第39页 |
| ·MOCVD 设备的生长系统 | 第39-41页 |
| ·常用的样品表征手段 | 第41-46页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第41-42页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第42-43页 |
| ·光致发光（PL） | 第43-44页 |
| ·霍尔效应（Hall Effect） | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 GaN 基 MIS 结构紫外探测器的制备与表征 | 第47-54页 |
| ·GaN 薄膜的制备 | 第47-48页 |
| ·GaN 薄膜的表征 | 第48-49页 |
| ·XRD 表征 | 第48-49页 |
| ·PL 表征 | 第49页 |
| ·室温 Hall 表征 | 第49页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第49-50页 |
| ·氮化硅薄膜的表征 | 第50-52页 |
| ·能量色散光谱（EDS）表征 | 第50页 |
| ·透射光谱表征 | 第50-52页 |
| ·Al 电极的制备 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第四章 GaN 基 MIS 结构紫外探测器的电学输运特性研究 | 第54-62页 |
| ·测量设备及测试方法 | 第54-55页 |
| ·典型的 GaN 基 MIS 紫外探测器的电流电压曲线 | 第55-56页 |
| ·GaN 基 MIS 结构紫外探测器的反向 I-V 特性 | 第56-57页 |
| ·GaN 基 MIS 结构紫外探测器的正向 I-V 特性研究 | 第57-59页 |
| ·GaN 基紫外探测器的光电流特性 | 第59-60页 |
| ·不同厚度绝缘层的 GaN 基紫外探测器的反向 I-V 曲线 | 第60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 第五章 GaN 基 MIS 结构紫外探测器的光响应特性研究 | 第62-69页 |
| ·光谱响应测试系统 | 第62-64页 |
| ·典型的 GaN 基 MIS 结构紫外探测器光响应特性 | 第64-65页 |
| ·不同偏压对 GaN 基 MIS 结构紫外探测器的光电流的影响 | 第65-67页 |
| ·不同厚度绝缘层对 GaN 基 MIS 结构紫外探测器的影响 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论与展望 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69页 |
| ·研究展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第75-76页 |
| 指导教师及作者简介 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
