前言 | 第1-12页 |
第1章 文献综述 | 第12-23页 |
·化学机械抛光技术的产生、作用原理与发展应用 | 第12-15页 |
·研究CMP技术的相关理论 | 第15-16页 |
·研究CMP技术的实验方法及CMP技术的表征 | 第16-19页 |
·CMP技术的研究现状与存在的问题 | 第19-22页 |
·本文将要解决的问题 | 第22-23页 |
第2章 实验方法与装置 | 第23-25页 |
第3章 铜的电化学腐蚀特性 | 第25-28页 |
·Cu-H_2O系电位-pH图 | 第25-26页 |
·铜的腐蚀介质 | 第26页 |
·铜的成膜剂及表面钝化膜类型 | 第26-28页 |
第4章 腐蚀介质和成膜剂对铜极化行为的影响 | 第28-39页 |
·铜在氨(胺)性介质中的腐蚀及成膜行为 | 第29-32页 |
·铜在硝酸介质中的腐蚀及成膜行为 | 第32-35页 |
·铜在弱碱性介质中形成自然氧化物膜时的极化行为 | 第35-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第5章 腐蚀介质及成膜剂浓度对铜腐蚀速率的影响 | 第39-48页 |
·形成无机膜时抛光液中各组分的浓度对铜腐蚀速率的影响 | 第39-43页 |
·形成有机膜时抛光液中各组分的浓度对铜腐蚀速率的影响 | 第43-45页 |
·形成氧化物钝化膜时各组分的浓度对铜腐蚀速率的影响 | 第45-47页 |
·本章小结 | 第47-48页 |
第6章 交流阻抗图谱(EIS)分析 | 第48-56页 |
·形成无机钝化膜时的交流阻抗分析 | 第48-52页 |
·形成有机钝化膜时的交流阻抗分析 | 第52-54页 |
·形成氧化物钝化膜时的交流阻抗分析 | 第54-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
第7章 铜在抛光液中形成钝化膜的XPS图谱 | 第56-63页 |
·铁氰化钾抛光液中表面钝化膜的XPS图谱 | 第56-58页 |
·磷酸钠抛光液中表面钝化膜的XPS图谱 | 第58-59页 |
·苯并三唑抛光液中表面钝化膜的XPS图谱 | 第59-60页 |
·弱碱性介质抛光液中表面钝化膜的XPS图谱 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第8章 CMP过程中铜腐蚀电位、腐蚀电流密度及极化曲线 | 第63-81页 |
·形成无机钝化膜时CMP过程中的电化学行为 | 第63-71页 |
·硝酸介质苯并三唑抛光液中CMP时的电化学行为 | 第71-73页 |
·弱碱性抛光液中CMP时的电化学行为 | 第73-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
第9章 铜在各种抛光液中的自钝化成膜机理 | 第81-112页 |
·铜在甲胺、氨水介质铁氰化钾抛光液中的自钝化成膜机理 | 第82-95页 |
·铜在硝酸介质磷酸钠抛光液中的自钝化成膜机理 | 第95-99页 |
·铜在硝酸介质苯并三唑抛光液中的自钝化成膜机理 | 第99-105页 |
·铜在弱碱性介质(HNN)中的自钝化成膜机理 | 第105-111页 |
·本章小结 | 第111-112页 |
第10章 CMP抛光速率的影响因素与抛光液的配方理论 | 第112-129页 |
·甲胺、氨水介质铁氰化钾抛光液中铜的抛光速率及其影响因素 | 第112-116页 |
·铜在硝酸介质磷酸钠抛光液中的抛光速率及其影响因素 | 第116-119页 |
·铜在硝酸介质苯并三唑抛光液中的抛光速率及其影响因素 | 第119-122页 |
·铜在弱碱性HNN抛光液中的抛光速率及其影响因素 | 第122-124页 |
·磨粒特性对抛光速率的影响 | 第124-127页 |
·CMP抛光液的配方理论 | 第127页 |
·本章小结 | 第127-129页 |
第11章 化学-机械抛光的腐蚀电化学机理--催化腐蚀模型 | 第129-137页 |
·实验方法 | 第129页 |
·结果与讨论 | 第129-132页 |
·化学机械抛光的催化腐蚀模型 | 第132-135页 |
·本章小结 | 第135-137页 |
第12章 抛光效果与结果分析 | 第137-148页 |
·实验方法 | 第137页 |
·铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中的抛光效果 | 第137-138页 |
·铜在硝酸介质磷酸钠抛光液中的抛光效果 | 第138-139页 |
·铜在硝酸介质苯并三唑抛光液中的抛光效果 | 第139-140页 |
·铜在弱碱性介质硝酸钾抛光液中的抛光效果 | 第140-142页 |
·CMP前后抛光片表面形貌的SEM照片 | 第142-147页 |
·本章小结 | 第147-148页 |
结论 | 第148-150页 |
参考文献 | 第150-157页 |
攻读博士期间发表的论文 | 第157页 |