| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·电致变色材料 | 第14-17页 |
| ·WO_3薄膜电致变色机理 | 第17-19页 |
| ·Deb模型 | 第17页 |
| ·Faughnan模型 | 第17-18页 |
| ·Schirmer模型 | 第18页 |
| ·Bechinger模型 | 第18-19页 |
| ·常见的WO_3薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| ·蒸发镀膜 | 第19页 |
| ·溅射镀膜 | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶制膜 | 第20页 |
| ·本课题研究的目的、意义 | 第20-22页 |
| 第二章 电子束沉积WO_3薄膜 | 第22-28页 |
| ·主要实验设备 | 第22-24页 |
| ·DZS-500电子束蒸发镀膜系统 | 第22-23页 |
| ·FTM-V膜厚监控仪 | 第23页 |
| ·QM-ISP04行星球磨机 | 第23页 |
| ·CVD(G)-05/50/2高温管式炉 | 第23页 |
| ·清洗设备 | 第23-24页 |
| ·镀膜实验 | 第24-27页 |
| ·球磨机研磨WO_3粉末 | 第24页 |
| ·WO_3粉末压块 | 第24-25页 |
| ·WO_3粉末压块的烧结 | 第25页 |
| ·清洗导电玻璃 | 第25页 |
| ·电子束镀膜 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 原子力显微镜分析WO_3薄膜形貌 | 第28-36页 |
| ·实验仪器 | 第28-30页 |
| ·CSPM4000系列扫描探针显微镜系统 | 第28页 |
| ·原子力显微镜的硬件架构 | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜的工作原理 | 第29-30页 |
| ·实验 | 第30-34页 |
| ·室温镀膜及退火1小时的WO_3薄膜表面形貌 | 第30-31页 |
| ·不同膜厚WO_3薄膜的表面形貌 | 第31-32页 |
| ·不同基片温度所镀WO_3薄膜的表面形貌 | 第32-33页 |
| ·不同束流所镀WO_3薄膜的表面形貌 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 X射线衍射分析WO_3薄膜结构 | 第36-48页 |
| ·X射线衍射原理 | 第36页 |
| ·X射线衍射仪器 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-46页 |
| ·XRD分析ITO及室温镀WO_3薄膜 | 第37-40页 |
| ·对不同膜厚WO_3薄膜XRD分析 | 第40-42页 |
| ·对不同基片温度所镀WO_3薄膜XRD分析 | 第42-44页 |
| ·对不同束流所镀WO_3薄膜XRD分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 WO_3薄膜电致变色性能测试 | 第48-61页 |
| ·WO_3薄膜变色实验 | 第48-49页 |
| ·WO_3变色薄膜的表面形貌和XRD分析 | 第49-50页 |
| ·WO_3变色薄膜的AFM分析 | 第49页 |
| ·WO_3变色薄膜的XRD分析 | 第49-50页 |
| ·不同条件下所镀WO_3薄膜的透射率分析 | 第50-58页 |
| ·室温所镀WO_3薄膜经过不同温度退火的透射率分析 | 第50-55页 |
| ·不同厚度WO_3薄膜经过100℃退火的透射率分析 | 第55-56页 |
| ·不同基片温度所镀WO_3薄膜的透射率分析 | 第56-57页 |
| ·不同束流所镀WO_3薄膜经过100℃退火的透射率分析 | 第57-58页 |
| ·WO_3薄膜的其他变色性能 | 第58-59页 |
| ·WO_3变色薄膜的循环利用次数 | 第58-59页 |
| ·WO_3变色薄膜的开关响应时间 | 第59页 |
| ·WO_3变色薄膜的记忆存储时间 | 第59页 |
| ·本章结论 | 第59-61页 |
| 第六章 全文结论及探讨 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 本文作者在硕士研究生期间的科研成果 | 第66页 |
