| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·短波长光电子器件 | 第9-15页 |
| ·短波长半导体发光器件 | 第9-13页 |
| ·紫外光电探测器件 | 第13-15页 |
| ·二氧化锡 | 第15-24页 |
| ·SnO_2 基本情况 | 第15-17页 |
| ·SnO_2 研究进展 | 第17-22页 |
| ·SnO_2 基光电子器件研究进展 | 第22-24页 |
| ·选题意义和研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 反应溅射制备氮掺杂SnO_2薄膜及其表征，光学性质 | 第25-43页 |
| ·磁控溅射和磁控反应溅射 | 第25-28页 |
| ·磁控溅射 | 第25-26页 |
| ·磁控反应溅射 | 第26页 |
| ·氮掺杂氧化物薄膜的制备 | 第26-28页 |
| ·实验设备和实验条件 | 第28-31页 |
| ·薄膜制备 | 第28-29页 |
| ·测试分析方法 | 第29-31页 |
| ·氮掺杂SnO_2 薄膜制备和表征 | 第31-36页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第31-33页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第33-36页 |
| ·光学性质 | 第36-42页 |
| ·透射光谱 | 第36页 |
| ·光学带隙 | 第36-40页 |
| ·光学常数 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第三章 氮掺杂SnO_2薄膜光致发光 | 第43-59页 |
| ·光致发光 | 第43-47页 |
| ·氮掺杂SnO_2 薄膜光致发光 | 第47-49页 |
| ·变温光致发光 | 第49-50页 |
| ·光致发光与激发功率的关系 | 第50-54页 |
| ·局域化激子 | 第54-58页 |
| ·激子 | 第54-55页 |
| ·载流子局域化和局域化激子 | 第55-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第四章 氮掺杂SnO_2薄膜取向生长和角度依赖光致发光 | 第59-73页 |
| ·生长速率与取向生长 | 第59-61页 |
| ·薄膜厚度与取向生长 | 第61-63页 |
| ·种子层与氮掺杂SnO_2 薄膜择优取向生长 | 第63-66页 |
| ·角度依赖光致发光 | 第66-71页 |
| ·氮掺杂SnO_2 薄膜的探测角度依赖光致发光 | 第66-67页 |
| ·法布里－珀罗（Fabry-Pérot）干涉与角度依赖光致发光 | 第67-70页 |
| ·角度依赖光致发光与种子层的关系 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 SnO_2薄膜外延生长和光电性能研究 | 第73-81页 |
| ·蓝宝石基SnO_2 薄膜外延生长 | 第73-74页 |
| ·XRD 和AFM 表征 | 第74-76页 |
| ·载流子浓度和迁移率 | 第76-78页 |
| ·SnO_2 薄膜光致发光 | 第78-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 第六章 总结和展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-93页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
