| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·课题来源与背景 | 第10页 |
| ·ZnSe薄膜的基本特性及应用 | 第10-13页 |
| ·ZnSe薄膜的基本特性 | 第10-12页 |
| ·ZnSe薄膜的基本应用 | 第12-13页 |
| ·电化学沉积简介 | 第13页 |
| ·ZnSe制备技术研究现状 | 第13-17页 |
| ·化学气相沉积法（CVD） | 第13-14页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法（MOCVD） | 第14页 |
| ·物理气相沉积法（PVD） | 第14页 |
| ·分子束外延生长法（MBE） | 第14-15页 |
| ·热壁外延法（HWE） | 第15页 |
| ·化学浴沉积法（CBD） | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第16页 |
| ·光化学沉积法（PCD） | 第16页 |
| ·原子层外延生长法（ALE） | 第16-17页 |
| ·国外电化学沉积ZnSe薄膜研究现状 | 第17-19页 |
| ·酸性体系电沉积制备ZnSe薄膜 | 第17页 |
| ·电沉积掺杂制备p、n 型ZnSe薄膜 | 第17-18页 |
| ·三维体系电沉积制备ZnSe薄膜 | 第18页 |
| ·固熔体系电沉积制备ZnSe薄膜 | 第18-19页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 2 电化学共沉积理论 | 第22-34页 |
| ·电化学共沉积原理 | 第22-33页 |
| ·电极电位 | 第23-28页 |
| ·过电位 | 第28-33页 |
| ·电化学沉积物转化为合成物的热力学分析 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 3 电化学共沉积ZnSe薄膜实验 | 第34-48页 |
| ·实验方案的设计 | 第34页 |
| ·实验装置与原料 | 第34-36页 |
| ·实验装置的设计 | 第34-35页 |
| ·电解液的组成 | 第35页 |
| ·电极的处理 | 第35-36页 |
| ·实验参数的分析与选择 | 第36-42页 |
| ·浓度比的分析与选择 | 第36-40页 |
| ·络合剂的分析与选择 | 第40-41页 |
| ·pH 值的分析与选择 | 第41页 |
| ·电流密度的分析与选择 | 第41-42页 |
| ·沉积温度的分析与选择 | 第42页 |
| ·沉积时间的分析与选择 | 第42页 |
| ·测试与表征 | 第42-47页 |
| ·分光光度计 | 第42-44页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第44-46页 |
| ·X-射线衍射 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 实验结果与分析 | 第48-66页 |
| ·沉积参数对ZnSe薄膜成分的影响 | 第48-55页 |
| ·pH 值对ZnSe薄膜成分的影响 | 第48-49页 |
| ·电流密度对ZnSe薄膜成分的影响 | 第49-50页 |
| ·沉积时间对ZnSe薄膜成分的影响 | 第50-52页 |
| ·Zn~(2+)/Se0_3~(2-)浓度比对ZnSe薄膜成分的影响 | 第52-53页 |
| ·柠檬酸钠对ZnSe薄膜成分的影响 | 第53-54页 |
| ·温度对ZnSe薄膜成分的影响 | 第54-55页 |
| ·电沉积ZnSe薄膜的正交试验设计 | 第55-62页 |
| ·正交试验设计 | 第55-57页 |
| ·ZnSe薄膜成分分析 | 第57-60页 |
| ·ZnSe薄膜形貌分析 | 第60-62页 |
| ·ZnSe薄膜表征 | 第62-64页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第62-63页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第63-64页 |
| ·薄膜附着力测试 | 第64页 |
| ·薄膜厚度的测试 | 第64页 |
| ·电阻的测试 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 5 ZnSe阴极抑氢机理探讨 | 第66-70页 |
| ·氢析出反应机理 | 第66-67页 |
| ·实验研究方法 | 第67页 |
| ·不同电极对析氢过电势的影响 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 6 总结与展望 | 第70-72页 |
| ·论文完成的主要结论 | 第70页 |
| ·今后工作展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录 | 第78-86页 |
| 致谢 | 第86页 |