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垂直腔面发射半导体激光器中的湿法氧化工艺研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第6-7页
第一章 引言第7-17页
 §1.1 VCSEL的产生及发展第7-8页
 §1.2 VCSEL的基本结构和性能特性第8-14页
 §1.3 VCSEL的发展方向和应用前景第14-17页
第二章 氧化物限制工艺的研究背景第17-21页
第三章 湿法氧化的反应原理及氧化规律的理论模型第21-26页
 §3.1 湿法氧化的反应原理第21-22页
 §3.2 氧化规律的理论模型第22-26页
第四章 氧化限制层的优化设计和湿法氧化工艺第26-32页
 §4.1 氧化层的优化设计第26-28页
 §4.2 氧化设备第28页
 §4.3 氧化实验的工艺过程第28-32页
第五章 氧化实验规律及氧化过程中的一些常见问题第32-40页
 §5.1 湿法氧化实验结果的分析和比较第32-35页
 §5.2 湿法氧化工艺中的一些常见问题和解决方案第35-40页
第六章 基于湿法氧化的VCSEL器件的性质测试和分析第40-48页
 §6.1 热学特性分析第40-43页
 §6.2 VCSEL器件的输出特性和阈值特性第43-44页
 §6.3 VCSEL器件的光谱特性第44-45页
 §6.4 VCSEL器件的远场分布第45-48页
结论第48-49页
致谢第49-50页
参考文献第50-52页

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