| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·本课题的研究背景和意义 | 第7-8页 |
| ·共振隧穿器件的国内外发展情况 | 第8-10页 |
| ·共振隧穿器件的特点 | 第10-11页 |
| ·本论文的研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 RTD 器件的研究 | 第12-26页 |
| ·半导体超晶格 | 第12-13页 |
| ·RTD 工作原理 | 第13-16页 |
| ·RTD 的电流组成 | 第16-18页 |
| ·RTD 的电路模型及PSPICE 模拟 | 第18-20页 |
| ·关于RTD I-V 特性的讨论 | 第20-22页 |
| ·温度效应 | 第20-21页 |
| ·负阻区“表观正电阻”现象 | 第21-22页 |
| ·三端共振隧穿器件RTT | 第22-26页 |
| ·RTT 的分类 | 第22-23页 |
| ·RTD 与HEMT 构成的RTT | 第23-26页 |
| 第三章 RTD 的器件结构及制作工艺 | 第26-40页 |
| ·台面型RTD | 第26-32页 |
| ·材料结构设计 | 第26-28页 |
| ·工艺流程 | 第28-31页 |
| ·台面RTD 的测试与分析 | 第31-32页 |
| ·平面型RTD | 第32-38页 |
| ·器件结构 | 第32-35页 |
| ·工艺流程 | 第35-36页 |
| ·平面型RTD 器件的测试与分析 | 第36-38页 |
| ·离子注入隔离的电绝缘性测试 | 第36-38页 |
| ·平面RTD I-V 特性的测试 | 第38页 |
| ·台面结构与平面结构的对比 | 第38-40页 |
| 第四章 基于共振隧穿器件的电路研究 | 第40-52页 |
| ·MOBILE 单元电路 | 第40-45页 |
| ·MOBILE 电路的基本结构 | 第40-41页 |
| ·MOBILE 工作原理 | 第41-43页 |
| ·MOBILE 电路模拟结果与分析 | 第43-45页 |
| ·RTD 与HEMT 串联结构的等效电路模拟 | 第45-48页 |
| ·RTD 在HEMT 的漏端(MOSFET 驱动RTD) | 第47-48页 |
| ·RTD 在HEMT 的源端(RTD 驱动MOSFET) | 第48页 |
| ·基于RTD 的同或门逻辑电路 | 第48-52页 |
| ·电路结构及工作原理 | 第49-50页 |
| ·电路模拟结果与分析 | 第50-52页 |
| 第五章 共振隧穿器件的发展前景 | 第52-56页 |
| ·共振隧穿器件目前所面临的问题与挑战 | 第52-53页 |
| ·共振隧穿器件今后的发展方向 | 第53-56页 |
| 第六章 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |