p型ZnO薄膜的制备及掺杂机理研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 文献综述 | 第12-34页 |
·研究背景 | 第12-14页 |
·ZnO的基本性质及应用 | 第14-19页 |
·ZnO的晶体结构 | 第15页 |
·ZnO的光电性能 | 第15-17页 |
·ZnO的压电、压阻性能 | 第17-18页 |
·ZnO的压敏性能 | 第18-19页 |
·ZnO的气敏性能 | 第19页 |
·ZnO中的本征缺陷和n型掺杂 | 第19-26页 |
·ZnO中的本征缺陷 | 第19-23页 |
·ZnO中的n型掺杂 | 第23-26页 |
·p型ZnO研究进展 | 第26-33页 |
·本征p型ZnO | 第26-27页 |
·Ⅰ族元素掺杂 | 第27-29页 |
·Ⅴ族元素掺杂 | 第29-32页 |
·N与Ⅲ族元素共掺 | 第32-33页 |
·本文研究目的及研究内容 | 第33-34页 |
第二章 ZnO薄膜的制备方法及表征 | 第34-39页 |
·直流反应溅射镀膜 | 第34-35页 |
·实验设备 | 第35-36页 |
·实验制备过程 | 第36-37页 |
·靶材的制备 | 第36页 |
·衬底的选择与清洗 | 第36-37页 |
·薄膜制备过程 | 第37页 |
·ZnO薄膜性能测试 | 第37-39页 |
第三章 p型ZnO掺杂元素的研究 | 第39-59页 |
·密度泛函理论简介 | 第39-41页 |
·理论计算模块及参数设置 | 第41-42页 |
·纯ZnO的电子结构 | 第42-45页 |
·V族元素掺杂ZnO的理论研究 | 第45-52页 |
·Ⅰ族元素掺杂ZnO的理论研究 | 第52-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第四章 N掺杂p型ZnO薄膜的制备与性能 | 第59-84页 |
·热氧化Zn_3N_2制备p型ZnO薄膜 | 第59-69页 |
·薄膜的制备 | 第59-61页 |
·热氧化法制备的ZnO薄膜晶体结构分析 | 第61-63页 |
·热氧化温度对薄膜结构性能的影响 | 第61页 |
·热氧化时间对薄膜结构性能的影响 | 第61-63页 |
·热氧化法制备的ZnO薄膜的光学性能 | 第63-65页 |
·热氧化温度对薄膜光学性能的影响 | 第63-64页 |
·热氧化时间对薄膜光学性能的影响 | 第64-65页 |
·热氧化法制备的ZnO薄膜的电学性能 | 第65-68页 |
·热氧化温度对薄膜电学性能的影响 | 第65-67页 |
·热氧化时间对薄膜电学性能的影响 | 第67-68页 |
·薄膜的厚度 | 第68-69页 |
·反应磁控溅射制备p型ZnO薄膜 | 第69-82页 |
·ZnO薄膜的制备 | 第70页 |
·薄膜成分分析 | 第70-72页 |
·薄膜的晶体结构 | 第72-75页 |
·N_2流量对薄膜结构性能的影响 | 第72-74页 |
·衬底温度对薄膜结构性能的影响 | 第74-75页 |
·薄膜的光学性能 | 第75-78页 |
·N_2流量对薄膜光学性能的影响 | 第75-77页 |
·衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第77-78页 |
·薄膜的电学性能 | 第78-81页 |
·N_2流量对薄膜电学性能的影响 | 第78-80页 |
·衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第80-81页 |
·ZnO薄膜的厚度 | 第81-82页 |
·N掺杂ZnO薄膜电学性能的稳定性 | 第82-83页 |
·本章小结 | 第83-84页 |
第五章 Na掺杂p型ZnO薄膜的制备与性能 | 第84-95页 |
·薄膜中元素成分分析 | 第84-86页 |
·Na掺杂ZnO薄膜的结构性能 | 第86-88页 |
·靶材中Na含量对薄膜结构性能的影响 | 第86-87页 |
·衬底温度对薄膜结构性能的影响 | 第87-88页 |
·Na掺杂ZnO薄膜的表面形貌 | 第88-90页 |
·靶材中Na含量对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第88-89页 |
·衬底温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第89-90页 |
·Na掺杂ZnO薄膜的电学性能 | 第90-93页 |
·靶材中Na含量对薄膜电学性能的影响 | 第90-92页 |
·不同衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第92-93页 |
·Na掺杂ZnO薄膜电学性能的稳定性 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
第六章 结论 | 第95-97页 |
参考文献 | 第97-112页 |
博士期间发表和正在评审的论文和专利 | 第112-114页 |
致谢 | 第114页 |