摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 文献综述 | 第9-21页 |
·引言 | 第9-11页 |
·透明导电氧化物(TCO)薄膜概述 | 第11-18页 |
·SnO_2薄膜的特性 | 第11-13页 |
·Sb_2O_5薄膜的特性 | 第13-14页 |
·Ga_2O_3薄膜的特性 | 第14-15页 |
·TCO薄膜的P型掺杂 | 第15-18页 |
·P型掺杂机理及影响因素 | 第15-16页 |
·P型TCO薄膜发展现状 | 第16-18页 |
·本文研究的目的及内容 | 第18-20页 |
·本章小结 | 第20-21页 |
第二章 理论介绍 | 第21-30页 |
·第一原理计算 | 第21-22页 |
·CASTEP模块 | 第22-29页 |
·密度泛函理论基本原理 | 第22-27页 |
·Hohenber-Kohn定理 | 第23-24页 |
·Kohn-Sham方程式 | 第24-25页 |
·交换关联泛函 | 第25-27页 |
·平面波赝势 | 第27-29页 |
·范数不变赝势(NCPP) | 第28页 |
·超软赝势(USP) | 第28-29页 |
·本章小结 | 第29-30页 |
第三章 计算参数设置及相关概念 | 第30-36页 |
·超晶胞 | 第30页 |
·布里渊区k空间取样点 | 第30页 |
·赝势 | 第30-31页 |
·平面波截止能量 | 第31页 |
·形成能及电离能 | 第31-33页 |
·形成能计算公式 | 第31-33页 |
·化学势(μ_i) | 第32-33页 |
·电离能计算公式 | 第33页 |
·电子态密度,电荷密度分布及集居分析 | 第33-35页 |
·电子态密度 | 第33-34页 |
·电荷密度分布 | 第34-35页 |
·集居分析 | 第35页 |
·本章小结 | 第35-36页 |
第四章 薄膜的制备及其表征 | 第36-40页 |
·薄膜的制备 | 第36-38页 |
·制备原理 | 第36页 |
·实验设备 | 第36-37页 |
·薄膜制备过程 | 第37-38页 |
·SnO_2薄膜的制备过程 | 第37-38页 |
·Sb_2O_5薄膜的制备过程 | 第38页 |
·Ga_2O_3薄膜的制备过程 | 第38页 |
·薄膜的表征 | 第38-39页 |
·薄膜晶体结构的表征 | 第38-39页 |
·薄膜成分分析 | 第39页 |
·薄膜光学性能的测试 | 第39页 |
·薄膜电学性能的测试 | 第39页 |
·本章小结 | 第39-40页 |
第五章 SnO_2本征缺陷的研究 | 第40-48页 |
·缺陷电子结构研究 | 第40-45页 |
·缺陷形成能 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-48页 |
第六章 SnO_2薄膜的p型掺杂研究 | 第48-60页 |
·含Ⅲ族杂质的SnO_2电子结构研究 | 第48-54页 |
·Ⅲ族杂质形成能及电离能 | 第54-56页 |
·实验 | 第56-59页 |
·薄膜晶体结构及成分分析 | 第56-58页 |
·薄膜电学性能及光学性能分析 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第七章 SnO_2薄膜的p型共掺研究 | 第60-68页 |
·共掺实验方法的提出 | 第60-63页 |
·实验 | 第63-67页 |
·薄膜晶体结构、光学性能及成分分析 | 第63-65页 |
·共掺与单掺SnO_2薄膜性能对比分析 | 第65-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
第八章 Sb_2O_5本征缺陷的研究 | 第68-76页 |
·缺陷电子结构研究 | 第68-73页 |
·缺陷形成能 | 第73-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
第九章 Sb_2O_5薄膜的p型掺杂研究 | 第76-88页 |
·含Ⅳ族杂质的Sb_2O_5电子结构研究 | 第76-81页 |
·Ⅳ族杂质形成能及电离能 | 第81-83页 |
·实验 | 第83-87页 |
·薄膜晶体结构及成分分析 | 第84-85页 |
·薄膜电学性能及光学性能分析 | 第85-87页 |
·本章小结 | 第87-88页 |
第十章 Ga_xZn_(1-x)O_3薄膜的研究 | 第88-93页 |
·Ga_xZn_(1-x)O_3薄膜的电子结构研究 | 第88-89页 |
·实验 | 第89-91页 |
·薄膜晶体结构及成分分析 | 第89-91页 |
·薄膜电学性能及光学性能分析 | 第91页 |
·本章小结 | 第91-93页 |
第十一章 结论 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-102页 |
攻读博士期间发表的论文与授权专利 | 第102-103页 |
致谢 | 第103页 |