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P型透明导电氧化物薄膜的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 文献综述第9-21页
   ·引言第9-11页
   ·透明导电氧化物(TCO)薄膜概述第11-18页
     ·SnO_2薄膜的特性第11-13页
     ·Sb_2O_5薄膜的特性第13-14页
     ·Ga_2O_3薄膜的特性第14-15页
     ·TCO薄膜的P型掺杂第15-18页
       ·P型掺杂机理及影响因素第15-16页
       ·P型TCO薄膜发展现状第16-18页
   ·本文研究的目的及内容第18-20页
   ·本章小结第20-21页
第二章 理论介绍第21-30页
   ·第一原理计算第21-22页
   ·CASTEP模块第22-29页
     ·密度泛函理论基本原理第22-27页
       ·Hohenber-Kohn定理第23-24页
       ·Kohn-Sham方程式第24-25页
       ·交换关联泛函第25-27页
     ·平面波赝势第27-29页
       ·范数不变赝势(NCPP)第28页
       ·超软赝势(USP)第28-29页
   ·本章小结第29-30页
第三章 计算参数设置及相关概念第30-36页
   ·超晶胞第30页
   ·布里渊区k空间取样点第30页
   ·赝势第30-31页
   ·平面波截止能量第31页
   ·形成能及电离能第31-33页
     ·形成能计算公式第31-33页
       ·化学势(μ_i)第32-33页
     ·电离能计算公式第33页
   ·电子态密度,电荷密度分布及集居分析第33-35页
     ·电子态密度第33-34页
     ·电荷密度分布第34-35页
     ·集居分析第35页
   ·本章小结第35-36页
第四章 薄膜的制备及其表征第36-40页
   ·薄膜的制备第36-38页
     ·制备原理第36页
     ·实验设备第36-37页
     ·薄膜制备过程第37-38页
       ·SnO_2薄膜的制备过程第37-38页
       ·Sb_2O_5薄膜的制备过程第38页
       ·Ga_2O_3薄膜的制备过程第38页
   ·薄膜的表征第38-39页
     ·薄膜晶体结构的表征第38-39页
     ·薄膜成分分析第39页
     ·薄膜光学性能的测试第39页
     ·薄膜电学性能的测试第39页
   ·本章小结第39-40页
第五章 SnO_2本征缺陷的研究第40-48页
   ·缺陷电子结构研究第40-45页
   ·缺陷形成能第45-46页
   ·本章小结第46-48页
第六章 SnO_2薄膜的p型掺杂研究第48-60页
   ·含Ⅲ族杂质的SnO_2电子结构研究第48-54页
   ·Ⅲ族杂质形成能及电离能第54-56页
   ·实验第56-59页
     ·薄膜晶体结构及成分分析第56-58页
     ·薄膜电学性能及光学性能分析第58-59页
   ·本章小结第59-60页
第七章 SnO_2薄膜的p型共掺研究第60-68页
   ·共掺实验方法的提出第60-63页
   ·实验第63-67页
     ·薄膜晶体结构、光学性能及成分分析第63-65页
     ·共掺与单掺SnO_2薄膜性能对比分析第65-67页
   ·本章小结第67-68页
第八章 Sb_2O_5本征缺陷的研究第68-76页
   ·缺陷电子结构研究第68-73页
   ·缺陷形成能第73-75页
   ·本章小结第75-76页
第九章 Sb_2O_5薄膜的p型掺杂研究第76-88页
   ·含Ⅳ族杂质的Sb_2O_5电子结构研究第76-81页
   ·Ⅳ族杂质形成能及电离能第81-83页
   ·实验第83-87页
     ·薄膜晶体结构及成分分析第84-85页
     ·薄膜电学性能及光学性能分析第85-87页
   ·本章小结第87-88页
第十章 Ga_xZn_(1-x)O_3薄膜的研究第88-93页
   ·Ga_xZn_(1-x)O_3薄膜的电子结构研究第88-89页
   ·实验第89-91页
     ·薄膜晶体结构及成分分析第89-91页
     ·薄膜电学性能及光学性能分析第91页
   ·本章小结第91-93页
第十一章 结论第93-94页
参考文献第94-102页
攻读博士期间发表的论文与授权专利第102-103页
致谢第103页

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