| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-28页 |
| ·原子转移自由基聚合(ATRP)的进展 | 第12-18页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·ATRP的机理 | 第12-13页 |
| ·ATRP的研究进展 | 第13-15页 |
| ·功能性引发剂在高分子材料合成中的应用 | 第15-18页 |
| ·荧光材料的研究进展 | 第18-23页 |
| ·荧光产生的理论基础 | 第18-19页 |
| ·荧光与分子结构的关系 | 第19页 |
| ·荧光材料的分类 | 第19-20页 |
| ·高分子金属配合物荧光材料的进展 | 第20-22页 |
| ·荧光高分子的应用 | 第22-23页 |
| ·席夫碱及其配合物的研究进展 | 第23-28页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·高分子担载席夫碱金属配合物的制备 | 第24-25页 |
| ·席夫碱金属配合物的应用 | 第25-28页 |
| 第二章 本论文的目的、意义及内容 | 第28-30页 |
| 第三章 实验和分析方法 | 第30-34页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第34-77页 |
| ·以5-氯甲基-2-羟基苯甲醛(CMOB)为引发剂对苯乙烯的ATRP反应的研究 | 第34-54页 |
| ·5-氯甲基-2-羟基苯甲醛的结构表征 | 第34页 |
| ·以5-氯甲基-2-羟基苯甲醛为引发剂，CuCl／五甲基二乙基三胺为催化体系对苯乙烯的ATRP反应 | 第34-43页 |
| ·引发和链增长机理 | 第34-36页 |
| ·活性特征 | 第36-37页 |
| ·嵌段共聚 | 第37-40页 |
| ·工艺条件对聚合反应的影响 | 第40-43页 |
| ·以5-氯甲基-2-甲氧基苯甲醛为引发剂的对比 | 第43-49页 |
| ·5-氯甲基-2-甲氧基苯甲醛(CMMB)结构表征 | 第43-44页 |
| ·以CMMB引发所得的聚苯乙烯的端基分析 | 第44-45页 |
| ·活性特征的对比 | 第45-46页 |
| ·温度对聚合反应的影响的对比 | 第46-47页 |
| ·引发剂的浓度对聚合反应的影响的对比 | 第47-48页 |
| ·较低温度下聚合的对比 | 第48-49页 |
| ·以5-氯甲基-2-羟基苯甲醛为引发剂，CuCl／Bpy为催化体系对苯乙烯的ATRP反应 | 第49-53页 |
| ·活性特征 | 第49-50页 |
| ·工艺条件对聚合反应的影响 | 第50-53页 |
| ·取代基对聚合反应的影响 | 第53-54页 |
| ·端基为水杨醛的聚苯乙烯(PSt-CH_2-S)的荧光性能 | 第54-57页 |
| ·溶液的酸碱性对荧光性能的影响 | 第54-55页 |
| ·溶剂对荧光性能的影响 | 第55-56页 |
| ·聚合物分子量对荧光性能的影响 | 第56页 |
| ·引发剂上取代基对荧光性能的影响 | 第56-57页 |
| ·水杨醛席夫碱配合物为端基的功能化PSt的合成及其荧光性能的研究 | 第57-71页 |
| ·端基为N-亚水杨基-4-甲氧基苯胺的聚苯乙烯(PSt-CH_2-SMOA)的结构表征 | 第57-58页 |
| ·高分子水杨醛席夫碱-Zn(Ⅱ)金属配合物的结构表征 | 第58-60页 |
| ·高分子水杨醛席夫碱-Zn(Ⅱ)金属配合物的结构确定 | 第60-62页 |
| ·高分子水杨醛席夫碱-Zn(Ⅱ)金属配合物的荧光性能 | 第62-64页 |
| ·反应条件对高分子配合物中Zn含量及荧光强度的影响 | 第64-66页 |
| ·溶剂的量对聚合物配位的影响 | 第64页 |
| ·反应手段对聚合物配位的影响 | 第64-66页 |
| ·聚合物配体的分子量对配合物荧光强度的影响 | 第66页 |
| ·取代基对高分子配体及高分子配合物荧光强度的影响 | 第66-70页 |
| ·高分子配体PSt-CH_2-SA，PSt-CH_2-SNA的结构表征 | 第66-68页 |
| ·高分子配合物PSt-CH_2-SA-Zn，PSt-CH_2-SNA-Zn的结构表征 | 第68页 |
| ·高分子配合物的荧光性能 | 第68-70页 |
| ·不同金属的高分子配合物的荧光 | 第70-71页 |
| ·以端基为邻甲氧基苯甲醛席夫碱衍生物的聚苯乙烯的荧光性能的研究 | 第71-77页 |
| ·端基为邻甲氧基苯甲醛席夫碱的聚苯乙烯的结构表征 | 第71-73页 |
| ·邻甲氧基苯甲醛席夫碱高分子配合物的表征 | 第73-74页 |
| ·端基为2-(2-甲氧基-苯亚甲基-氨基)酚聚苯乙烯配合物的荧光性能 | 第74-77页 |
| 第五章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 文章发表和录用 | 第93页 |
