无压浸渗制备双尺寸颗粒SiCp/Al电子封装材料的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·电子封装与电子封装材料 | 第9-17页 |
| ·电子封装的重要性 | 第10页 |
| ·微电子封装的功能 | 第10-11页 |
| ·电子封装的发展过程及发展趋势 | 第11-12页 |
| ·电子封装的分级 | 第12-13页 |
| ·电子封装材料 | 第13-17页 |
| ·电子封装用金属基复合材料的制备 | 第17-20页 |
| ·压力铸造法 | 第17-18页 |
| ·粉末冶金法 | 第18-19页 |
| ·无压浸渗法 | 第19-20页 |
| ·国内外研究现状 | 第20页 |
| ·无压浸渗工艺研究进展 | 第20-23页 |
| ·课题来源及研究意义 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 研究内容及研究方法 | 第27-31页 |
| ·研究内容 | 第27-28页 |
| ·预制型的制备及性能 | 第27页 |
| ·合金液在预制型中的浸渗动力学 | 第27-28页 |
| ·复合材料的显微组织及界面 | 第28页 |
| ·研究方法 | 第28-31页 |
| ·试验过程 | 第28-30页 |
| ·测试分析 | 第30-31页 |
| 第三章 双尺寸SiC预制型的制备及性能 | 第31-43页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·预制型的体积分数 | 第31-35页 |
| ·预制型体积分数的测量方法 | 第31-32页 |
| ·单一粒度颗粒预制型的体积分数 | 第32-33页 |
| ·双颗粒配比与预制型体积分数 | 第33-35页 |
| ·制备条件对预制型性能的影响 | 第35-38页 |
| ·加压方式的影响 | 第35-36页 |
| ·压力及加压速度的影响 | 第36-37页 |
| ·烧结的影响 | 第37-38页 |
| ·SiC预制型的氧化处理 | 第38-41页 |
| ·SiC的氧化过程及计算 | 第38-40页 |
| ·颗粒的高温氧化特征测量及结果 | 第40-41页 |
| ·表面氧化膜的结构 | 第41页 |
| ·预制型中的闭孔分析 | 第41页 |
| 小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 铝合金液在预制型中的无压浸渗动力学 | 第43-65页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·合金液无压浸渍预制型的热力学条件 | 第43-44页 |
| ·孕育期 | 第44-47页 |
| ·温度对孕育期的影响 | 第46-47页 |
| ·镁含量对孕育期的影响 | 第47页 |
| ·浸渗速度 | 第47-56页 |
| ·温度对浸渗速度的影响 | 第48-49页 |
| ·镁含量对浸渗速度的影响 | 第49-50页 |
| ·浸渗动力学分析 | 第50-56页 |
| ·其他一些影响浸渗的因素 | 第56-59页 |
| ·Si的作用 | 第56-57页 |
| ·气氛的影响 | 第57-59页 |
| ·浸渗行为及机理 | 第59-62页 |
| ·合金液在预制型中的浸渗行为 | 第59-61页 |
| ·浸渗机理 | 第61-62页 |
| 小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第五章 双尺寸颗粒Al／SiC显微组织及界面 | 第65-77页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·复合材料的显微组织 | 第65-68页 |
| ·体积分数对浸渗的影响 | 第65-67页 |
| ·颗粒分布对浸渗的影响 | 第67-68页 |
| ·界面状况 | 第68-71页 |
| ·SiCp与Al的界面结合类型 | 第68-69页 |
| ·界面处元素富集 | 第69-70页 |
| ·界面反应与反应产物 | 第70-71页 |
| ·断裂形貌 | 第71-74页 |
| ·基体破坏 | 第71-72页 |
| ·增强相断裂 | 第72-73页 |
| ·界面破坏 | 第73-74页 |
| 小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 声明 | 第80页 |
