第一章.引言 | 第1-48页 |
本章摘要 | 第15页 |
·前言 | 第15-17页 |
·薄膜的制备技术 | 第17-24页 |
·分子束外延方法 | 第18-19页 |
·脉冲激光沉积法 | 第19-21页 |
·真空蒸镀法 | 第21-22页 |
·离子镀膜法 | 第22-23页 |
·溅射镀膜法 | 第23页 |
·化学方法 | 第23-24页 |
·薄膜生长机制的作用 | 第24-25页 |
·薄膜生长动力学研究方法 | 第25-35页 |
·扫描隧道显微镜和AFM原理介绍 | 第26-28页 |
·薄膜生长动力学的实验研究进展 | 第28-31页 |
·理论方法简介 | 第31-35页 |
·蒙特卡罗方法,薄膜模拟现状及特点 | 第35-47页 |
·蒙特卡罗方法基础 | 第35-38页 |
·蒙特卡罗方法模拟薄膜二维生长 | 第38-43页 |
·蒙特卡罗方法模拟薄膜三维生长 | 第43-47页 |
本章小结 | 第47-48页 |
第二章.本论文的选题依据及主要研究内容 | 第48-53页 |
本章摘要 | 第48页 |
·本论文选题依据 | 第48-51页 |
·本论文主要研究内容 | 第51-52页 |
本章小结 | 第52-53页 |
第三章.在原子层次上PbTiO_3薄膜初期生长的蒙特卡罗模拟 | 第53-67页 |
本章摘要 | 第53页 |
·MC晶格空间 | 第53-55页 |
·伪随机数算法 | 第55页 |
·扩散激活能(△E_d)的计算 | 第55-57页 |
·模型与算法描述 | 第57-60页 |
·沉积事件 | 第57-58页 |
·扩散事件 | 第58-59页 |
·脱附事件 | 第59页 |
·Monte Carlo事件之间的关系 | 第59-60页 |
·模拟参数的考虑 | 第60页 |
·模拟结果与分析 | 第60-64页 |
·关于原子层次上多元氧化物薄膜生长机制模拟的讨论 | 第64-66页 |
本章小结 | 第66-67页 |
第四章.在晶胞层次模拟ABO_3型薄膜的外延生长 | 第67-102页 |
本章摘要 | 第67页 |
·模型描述 | 第67-70页 |
·相互作用 | 第70-71页 |
·模拟条件 | 第71页 |
·模拟结果 | 第71-100页 |
·不同生长条件下详细的形貌演化过程 | 第72-82页 |
·生长模式 | 第82-89页 |
·RHEED曲线的模拟 | 第89-94页 |
·粗糙度 | 第94-98页 |
·初期岛的比较 | 第98-99页 |
·生长模式-初期岛-RHEED-RMS的关系 | 第99-100页 |
·结论与讨论 | 第100-101页 |
本章小结 | 第101-102页 |
第五章.射频磁控溅射制备PbTiO_3/Si(100)薄膜的初期生长特性研究 | 第102-124页 |
本章摘要 | 第102页 |
·射频磁控溅射简介 | 第102-107页 |
·靶材溅射现象 | 第102-104页 |
·辉光过程 | 第104-105页 |
·射频磁控溅射 | 第105-107页 |
·本论文研究中陶瓷靶的制备和Si(100)基底的清洗 | 第107-109页 |
·PbTiO_3/Si(100)薄膜的射频磁控溅射制备 | 第109-110页 |
·实验结果与分析 | 第110-122页 |
·薄膜形貌与表面分析 | 第110-115页 |
·岛的高度 | 第115-120页 |
·PbTiO_3/Si(001)薄膜的扩散系数 | 第120-122页 |
·结论 | 第122页 |
本章小结 | 第122-124页 |
第六章.理论模拟与实验研究结果的综合分析比较 | 第124-128页 |
本章摘要 | 第124页 |
·ABO_3型氧化物薄膜生长以晶胞形成与扩散的方式生长 | 第124页 |
·基于晶胞模拟的RHEED曲线与实验RHEED曲线的比较 | 第124-126页 |
·PbTiO_3/Si(100)薄膜的岛状生长模式的解释 | 第126-127页 |
本章小结 | 第127-128页 |
第七章.主要结论和进一步研究工作的建议 | 第128-134页 |
本章摘要 | 第128页 |
·本论文主要研究成果 | 第128-131页 |
·本论文的主要创新点 | 第131-132页 |
·下一步研究的建议 | 第132-134页 |
参考文献 | 第134-148页 |
作者在攻读博士学位期间参加的研究项目 | 第148-149页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第149-152页 |
致谢 | 第152-153页 |
声明 | 第153页 |