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ABO3型钙钛矿薄膜生长动力学的理论与实验研究

第一章.引言第1-48页
 本章摘要第15页
   ·前言第15-17页
   ·薄膜的制备技术第17-24页
     ·分子束外延方法第18-19页
     ·脉冲激光沉积法第19-21页
     ·真空蒸镀法第21-22页
     ·离子镀膜法第22-23页
     ·溅射镀膜法第23页
     ·化学方法第23-24页
   ·薄膜生长机制的作用第24-25页
   ·薄膜生长动力学研究方法第25-35页
     ·扫描隧道显微镜和AFM原理介绍第26-28页
     ·薄膜生长动力学的实验研究进展第28-31页
     ·理论方法简介第31-35页
   ·蒙特卡罗方法,薄膜模拟现状及特点第35-47页
     ·蒙特卡罗方法基础第35-38页
     ·蒙特卡罗方法模拟薄膜二维生长第38-43页
     ·蒙特卡罗方法模拟薄膜三维生长第43-47页
 本章小结第47-48页
第二章.本论文的选题依据及主要研究内容第48-53页
 本章摘要第48页
   ·本论文选题依据第48-51页
   ·本论文主要研究内容第51-52页
 本章小结第52-53页
第三章.在原子层次上PbTiO_3薄膜初期生长的蒙特卡罗模拟第53-67页
 本章摘要第53页
   ·MC晶格空间第53-55页
   ·伪随机数算法第55页
   ·扩散激活能(△E_d)的计算第55-57页
   ·模型与算法描述第57-60页
     ·沉积事件第57-58页
     ·扩散事件第58-59页
     ·脱附事件第59页
     ·Monte Carlo事件之间的关系第59-60页
   ·模拟参数的考虑第60页
   ·模拟结果与分析第60-64页
   ·关于原子层次上多元氧化物薄膜生长机制模拟的讨论第64-66页
 本章小结第66-67页
第四章.在晶胞层次模拟ABO_3型薄膜的外延生长第67-102页
 本章摘要第67页
   ·模型描述第67-70页
   ·相互作用第70-71页
   ·模拟条件第71页
   ·模拟结果第71-100页
     ·不同生长条件下详细的形貌演化过程第72-82页
     ·生长模式第82-89页
     ·RHEED曲线的模拟第89-94页
     ·粗糙度第94-98页
     ·初期岛的比较第98-99页
     ·生长模式-初期岛-RHEED-RMS的关系第99-100页
   ·结论与讨论第100-101页
 本章小结第101-102页
第五章.射频磁控溅射制备PbTiO_3/Si(100)薄膜的初期生长特性研究第102-124页
 本章摘要第102页
   ·射频磁控溅射简介第102-107页
     ·靶材溅射现象第102-104页
     ·辉光过程第104-105页
     ·射频磁控溅射第105-107页
   ·本论文研究中陶瓷靶的制备和Si(100)基底的清洗第107-109页
   ·PbTiO_3/Si(100)薄膜的射频磁控溅射制备第109-110页
   ·实验结果与分析第110-122页
     ·薄膜形貌与表面分析第110-115页
     ·岛的高度第115-120页
     ·PbTiO_3/Si(001)薄膜的扩散系数第120-122页
   ·结论第122页
 本章小结第122-124页
第六章.理论模拟与实验研究结果的综合分析比较第124-128页
 本章摘要第124页
   ·ABO_3型氧化物薄膜生长以晶胞形成与扩散的方式生长第124页
   ·基于晶胞模拟的RHEED曲线与实验RHEED曲线的比较第124-126页
   ·PbTiO_3/Si(100)薄膜的岛状生长模式的解释第126-127页
 本章小结第127-128页
第七章.主要结论和进一步研究工作的建议第128-134页
 本章摘要第128页
   ·本论文主要研究成果第128-131页
   ·本论文的主要创新点第131-132页
   ·下一步研究的建议第132-134页
参考文献第134-148页
作者在攻读博士学位期间参加的研究项目第148-149页
攻读博士学位期间发表的论文第149-152页
致谢第152-153页
声明第153页

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