飞秒激光辐照硅及硅光电探测器研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·国内外研究进展 | 第9-14页 |
| ·存在的问题 | 第14页 |
| ·本文的主要工作及结构安排 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 半导体的超快驰豫过程 | 第19-34页 |
| ·半导体能带结构 | 第19-20页 |
| ·半导体材料与超短脉冲激光的相互作用 | 第20-25页 |
| ·半导体的电子学和光学性质 | 第25-29页 |
| ·硅载流子浓度超快变化过程 | 第29-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 飞秒泵浦-探针实验装置及实验 | 第34-47页 |
| ·实验测量原理 | 第34-36页 |
| ·实验装置 | 第36-41页 |
| ·实验测量结果 | 第41-43页 |
| ·实验数据处理 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 半导体自由载流子超陕驰豫过程数值计算 | 第47-52页 |
| ·硅超快动力学模型的简化 | 第47页 |
| ·四阶龙格—库塔算法(RK4) | 第47-48页 |
| ·数值计算结果 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 飞秒激光辐照si光电器件效应 | 第52-59页 |
| ·CCD在飞秒激光辐照下的损伤研究 | 第52-56页 |
| ·飞秒激光辐照硅光电二极管效应实验 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第六章 结论及展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 独创性声明 | 第61页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第61-62页 |
| 攻读硕士期间发表和合作发表的论文 | 第62页 |
