| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| 1．1 多晶硅薄膜综述 | 第6-8页 |
| 1．1．1 多晶硅薄膜的应用综述 | 第6页 |
| 1．1．2 多晶硅薄膜的制备方法 | 第6-8页 |
| 1．2 金属诱导非晶硅薄膜固相晶化研究 | 第8-12页 |
| 1．2．1 薄膜的制备 | 第8页 |
| 1．2．2 检测与分析 | 第8-9页 |
| 1．2．3 机理讨论 | 第9-12页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 铝诱导非晶硅薄膜场致固相晶化实验概述 | 第14-19页 |
| 2．1 实验意义 | 第14-17页 |
| 2．2 实验设计 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第三章 铝诱导非晶硅薄膜场致固相晶化实验结果及其分析 | 第19-36页 |
| 3．1 单一电场对薄膜晶化的影响 | 第19-26页 |
| 3．1．1 薄膜的表面形貌变化 | 第19-21页 |
| 3．1．2 薄膜成分的变化 | 第21-23页 |
| 3．1．3 薄膜的晶化率 | 第23-26页 |
| 3．2 电场方向及电场强度对薄膜晶化的影响 | 第26-35页 |
| 3．2．1 X射线衍射谱分析 | 第26-30页 |
| 3．2．2 扫描电子显微镜图片分析 | 第30-32页 |
| 3．2．3 喇曼谱分析 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第四章 结论及展望 | 第36-40页 |
| 4．1 总结 | 第36-38页 |
| 4．1．1 实验结果总结 | 第36页 |
| 4．1．2 初步的理论分析 | 第36-38页 |
| 4．2 展望 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第五章 后记 | 第40页 |