掺银La0.67Ca0.33MnO3薄膜中非欧姆行为研究
| 第一章 引言 | 第1-11页 |
| 第二章 强关联材料氧化物 | 第11-26页 |
| ·强关联材料 | 第11-12页 |
| ·超巨磁电阻材料 | 第12-19页 |
| ·超巨磁电阻材料应用 | 第19-24页 |
| ·磁电阻的应用 | 第20-21页 |
| ·激光感生电压应用 | 第21-22页 |
| ·CMR材料测辐射热仪 | 第22-23页 |
| ·其它应用及CMR材料应用展望 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-26页 |
| 第三章 电子隧穿效应基础 | 第26-36页 |
| ·电子隧穿的定义 | 第26-28页 |
| ·电子隧穿的发展经历 | 第28-32页 |
| ·隧穿的建立及早期应用 | 第28-29页 |
| ·金属间的电子隧穿现象及发展 | 第29-30页 |
| ·磁隧穿电阻效应 | 第30-32页 |
| ·电子隧穿的应用 | 第32-33页 |
| ·CMR材料中的电子隧穿 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 PLD制备薄膜 | 第36-52页 |
| ·脉冲激光淀积薄膜发展 | 第36-37页 |
| ·脉冲激光淀积薄膜的原理 | 第37-39页 |
| ·激光与靶材的相互作用 | 第38-39页 |
| ·激光与蒸发物的作用及等离子体的绝热膨胀 | 第39页 |
| ·PLD制备薄膜的设备 | 第39-43页 |
| ·准分子激光器 | 第40-41页 |
| ·薄膜淀积系统 | 第41-43页 |
| ·本实验室的实验设备 | 第43页 |
| ·PLD淀积薄膜的缺点及解决办法 | 第43-44页 |
| ·PLD制各LCMO薄膜 | 第44-48页 |
| ·靶材 | 第44-46页 |
| ·薄膜淀积工艺 | 第46-47页 |
| ·薄膜淀积过程中应注意的问题 | 第47-48页 |
| ·影响薄膜质量的因素 | 第48页 |
| ·薄膜生长 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第五章 实验结果及讨论 | 第52-66页 |
| ·R-T测量系统 | 第52-54页 |
| ·系统原理 | 第52-54页 |
| ·电极制作及测量时注意事项 | 第54页 |
| ·R-T测量结果 | 第54-57页 |
| ·不同偏电流下测量薄膜的电阻温度(R-T)关系 | 第54-56页 |
| ·不同倾斜衬底上薄膜的非欧姆行为对比 | 第56-57页 |
| ·LCMO薄膜的后退火处理 | 第57-58页 |
| ·后退火的设备及原理 | 第57-58页 |
| ·后退火处理的结果 | 第58页 |
| ·对SrTlO3衬底上LCMO-Ag的测试结果 | 第58-60页 |
| ·分析与讨论 | 第60-63页 |
| ·测温探头的研制 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
