| 第一章 绪论 | 第1-28页 |
| ·磁卡效应 | 第9-10页 |
| ·RE_5Si_4-RE_5Ge_4体系综述 | 第10-17页 |
| ·Gd_5Si_4-Gd_5Ge_4体系 | 第13-15页 |
| ·Tb_5Si_4-Tb_5Ge_4体系 | 第15-16页 |
| ·其它体系 | 第16-17页 |
| ·其它室温磁致冷体系综述 | 第17-18页 |
| ·本文研究目的及内容 | 第18-28页 |
| 第二章 基本理论与实验方法 | 第28-43页 |
| ·基本理论 | 第28-33页 |
| ·稀土元素原子及其金属单质的磁性 | 第28-29页 |
| ·自发磁化的几个基本理论模型 | 第29-32页 |
| ·分子场理论模型 | 第29-31页 |
| ·交换作用模型 | 第31-32页 |
| ·稀土－非过渡族金属间化合物的电输运性质 | 第32-33页 |
| ·实验方法 | 第33-43页 |
| ·样品制备 | 第33-34页 |
| ·多晶粉末晶体结构测定 | 第34-35页 |
| ·XRD 实验条件 | 第34页 |
| ·粉末衍射数据的指标化 | 第34-35页 |
| ·空间群的测定 | 第35页 |
| ·晶胞中原子位置的确定 | 第35页 |
| ·Rietveld 峰形拟合法修正晶体结构 | 第35-39页 |
| ·基本原理 | 第35-37页 |
| ·Rietveld 峰形拟合法的峰形函数的修正 | 第37-38页 |
| ·修正终点及修正结果正确性判定 | 第38-39页 |
| ·固溶体边界的测定 | 第39-40页 |
| ·相消失法 | 第39页 |
| ·点阵常数法 | 第39-40页 |
| ·超导量子干涉磁强计（SQUID）进行磁性及电性测量 | 第40-43页 |
| 第三章 Pr_5Si_4-Pr_5Ge_4体系化合物的晶体结构、相关系及化合物的物理性质研究 | 第43-76页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·材料的制备与实验方法 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-72页 |
| ·室温Pr_5Si_4-Pr_5Ge_4体系晶体结构及相关系 | 第44-52页 |
| ·Pr_5Si_4-Pr_5Ge_4体系室温各相的晶体结构 | 第45-51页 |
| ·Pr_5Si_4-Pr_5Ge_4体系室温相关系 | 第51-52页 |
| ·Pr_5Si_4-Pr_5Ge_4体系在1273K时化合物的晶体结构及相关系 | 第52-57页 |
| ·室温相与高温相稳定性研究 | 第57页 |
| ·物理性质研究 | 第57-72页 |
| ·α-Pr_5Si_2Ge_2相与β-Pr_5Si_2Ge_2相磁性能及电阻研究 | 第57-61页 |
| ·Pr_5Ge_4化合物的磁性能及电输运性质研究 | 第61-66页 |
| ·其它Pr_5Si_(4-x)Ge_x化合物磁性研究 | 第66-72页 |
| ·本章小结 | 第72-76页 |
| 第四章 Nd_5Si_4-Nd_5Ge_4体系化合物的晶体结构、相关系及化合物的物理性质研究 | 第76-102页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·材料的制备与实验方法 | 第76-77页 |
| ·实验结果与讨论 | 第77-98页 |
| ·室温Nd_5Si_4-Nd_5Ge_4体系化合物的晶体结构及相关系 | 第77-89页 |
| ·Nd_5Si_4-Nd_5Ge_4体系室温各相的晶体结构 | 第78-86页 |
| ·Nd_5Si_4-Nd_5Ge_4体系室温相关系 | 第86-89页 |
| ·Nd_5Si_4-Nd_5Ge_4体系在1273K时化合物的晶体结构及相关系 | 第89-91页 |
| ·室温相与高温相稳定性研究 | 第91-94页 |
| ·物理性质研究 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-102页 |
| 第五章 Gd_5Ge_4-La_5Ge_4体系化合物晶体结构、相关系及RE_5(Si,Ge)_4体系单斜相成相条件研究 | 第102-118页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·材料的制备与实验方法 | 第103页 |
| ·实验结果与讨论 | 第103-114页 |
| ·Gd_5Ge_4-La_5Ge_4体系化合物的晶体结构及相关系 | 第103-113页 |
| ·RE_5(Si,Ge)_4体系单斜相成相条件研究 | 第113-114页 |
| ·本章小结 | 第114-118页 |
| 第六章 结论 | 第118-120页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第120-123页 |
| 致谢 | 第123页 |
