| 摘要 | 第1-9页 |
| 主要符号对照表 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 一 磁泡存储器和布洛赫线存储器 | 第11-12页 |
| 二 选题背景和内容 | 第12-15页 |
| 第二章 磁畴和磁畴壁物理 | 第15-35页 |
| 一 磁畴和磁泡 | 第15-16页 |
| 二 磁泡的形成和磁泡的静态理论 | 第16-21页 |
| 三 磁畴壁和布洛赫线 | 第21-33页 |
| 四 三类硬磁畴的分类和实验研究 | 第33-35页 |
| 第三章 实验内容 | 第35-67页 |
| 一 实验准备 | 第35-39页 |
| 二 室温下对零偏场时产生的分形畴的动态特性的研究 | 第39-42页 |
| 三 室温下分形畴中正负VBL的形成条件及其规律 | 第42-57页 |
| 四 温度对产生正负垂直布洛赫线(VBL)的影响 | 第57-59页 |
| 五 对分形畴温度稳定性的研究 | 第59-63页 |
| 六 高温下产生的分形畴在室温下的变化 | 第63-67页 |
| 第四章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72页 |