中文摘要 | 第1-4页 |
英文摘要 | 第4-5页 |
1. 前言 | 第5-10页 |
1.1 PZT铁电体 | 第5页 |
1.2 PZT铁电薄膜制备及电学性能研究现状 | 第5-9页 |
1.2.1 问题与研究 | 第5-7页 |
1.2.2 优良电学性能的获得及改进 | 第7-9页 |
1.3 本论文研究内容概述 | 第9-10页 |
2. 实验设备和试剂介绍 | 第10-12页 |
3. 实验过程 | 第12-27页 |
3.1 靶材的制备 | 第12-15页 |
3.2 基底的制备 | 第15-16页 |
3.2.1 硅片的清洗 | 第15-16页 |
3.2.2 在硅片表面生长SiO_2 | 第16页 |
3.3 Pt、Au、Ag底电极的制备及处理 | 第16-20页 |
3.3.1 钼舟、钨丝的制备及处理 | 第16-17页 |
3.3.2 基片的清洗 | 第17页 |
3.3.3 Au底电极的制备及处理 | 第17页 |
3.3.4 Ag底电极的制备及处理 | 第17-19页 |
3.3.5 Pt底电极的制备及处理 | 第19-20页 |
3.4 PZT铁电薄膜的制备及处理 | 第20-24页 |
3.4.1 RF两极溅射镀膜原理及设备结构简介 | 第20-22页 |
3.4.2 影响溅射淀积速率的因素及实验条件的选择 | 第22-23页 |
3.4.3 薄膜的制备及处理过程 | 第23-24页 |
3.5 顶电极的制备 | 第24-25页 |
3.6 电滞回线及电学性能的测量 | 第25-27页 |
3.6.1 测量方法及原理简介 | 第25-26页 |
3.6.2 剩余极化强度(Pr)和较顽场强(Ec)的测定 | 第26-27页 |
4. 实验结果及分析 | 第27-41页 |
4.1 PZT靶材制备结果及分析 | 第27-28页 |
4.2 金膜退火结果及分析 | 第28-29页 |
4.3 银膜退火结果及分析 | 第29-30页 |
4.4 XRD衍射图谱及结果分析 | 第30-37页 |
4.5 电滞回线的测量及电学性能的分析 | 第37-39页 |
4.6 AES的检测结果及分析 | 第39-41页 |
参考文献 | 第41-43页 |
致谢 | 第43页 |