| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·纳米材料概述 | 第11-13页 |
| ·纳米材料的特性 | 第13-16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第13-14页 |
| ·小尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·表面与界面效应 | 第15页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第15-16页 |
| ·一维异质结纳米材料 | 第16-26页 |
| ·一维异质结纳米材料的分类 | 第17页 |
| ·一维异质结纳米材料的制备 | 第17-23页 |
| ·一维异质结纳米材料的应用 | 第23-24页 |
| ·一维异质结纳米材料的研究方向 | 第24-26页 |
| ·本文的选题背景、研究内容及意义 | 第26-28页 |
| 第二章 ZnSe/Ge异质结纳米线的合成及其性质研究 | 第28-40页 |
| ·本章概述 | 第28-31页 |
| ·ZnSe的性质和应用 | 第28-30页 |
| ·Ge的性质和应用 | 第30-31页 |
| ·实验过程及表征手段 | 第31-33页 |
| ·实验原料和实验设备 | 第31-32页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·表征手段 | 第33页 |
| ·实验结果表征分析 | 第33-39页 |
| ·样品的成分分析 | 第33-34页 |
| ·样品的形貌分析 | 第34-35页 |
| ·样品的结构分析 | 第35-37页 |
| ·样品的生长机理 | 第37-38页 |
| ·样品的拉曼特性 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Cd_4SiS_6/SiO_2核壳结构纳米线阵列的合成及其性质研究 | 第40-52页 |
| ·本章概述 | 第40-42页 |
| ·Cd_4SiS_6的性质和应用 | 第40-41页 |
| ·SiO_2的性质和应用 | 第41-42页 |
| ·实验过程及表征手段 | 第42-43页 |
| ·实验设备 | 第42页 |
| ·实验过程 | 第42页 |
| ·表征手段 | 第42-43页 |
| ·实验结果表征分析 | 第43-51页 |
| ·样品1的分析 | 第43-46页 |
| ·样品1的形貌分析 | 第43-44页 |
| ·样品1的成分分析 | 第44页 |
| ·样品1的结构分析 | 第44-46页 |
| ·样品2的分析 | 第46-50页 |
| ·样品2的形貌分析 | 第46-47页 |
| ·样品2的成分分析 | 第47页 |
| ·样品2的结构分析 | 第47-48页 |
| ·样品2的拉曼性质 | 第48-49页 |
| ·样品2的发光性质 | 第49-50页 |
| ·样品的生长机理 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 SiO_2网状纳米带的制备及其生长机理的研究 | 第52-59页 |
| ·本章概述 | 第52页 |
| ·实验过程及表征手段 | 第52-53页 |
| ·实验设备 | 第52页 |
| ·实验过程 | 第52-53页 |
| ·表征手段 | 第53页 |
| ·实验结果表征分析 | 第53-57页 |
| ·样品的成分分析 | 第53-54页 |
| ·样品的形貌分析 | 第54页 |
| ·样品的结构分析 | 第54-55页 |
| ·样品的生长机理 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-75页 |
| 硕士期间发表及投稿文章和专利申请目录 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
