| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-30页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·准一维纳米材料的研究 | 第13-17页 |
| ·准一维纳米材料的制备 | 第13-15页 |
| ·准一维纳米材料的生长机制 | 第15-17页 |
| ·同轴纳米电缆的研究现状 | 第17-21页 |
| ·模板法制备同轴纳米电缆 | 第18-20页 |
| ·自组生长法制备同轴纳米电缆 | 第20-21页 |
| ·碳族一维纳米材料的研究现状 | 第21-23页 |
| ·氧化硅纳米管研究现状 | 第21-22页 |
| ·以氧化硅为外壳的纳米电缆 | 第22页 |
| ·锗纳米线以及氧化锗纳米线 | 第22-23页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的研究现状 | 第23-28页 |
| ·天然纤蛇纹石的研究 | 第24-27页 |
| ·人工制备纤蛇纹石 | 第27-28页 |
| ·选题的目的、意义及内容 | 第28-30页 |
| ·选题的目的及意义 | 第28-29页 |
| ·选题的内容 | 第29-30页 |
| 第2章 锗/氧化硅纳米电缆的水热制备及原料和实验条件对产物的影响 | 第30-43页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验 | 第30-32页 |
| ·实验设备 | 第30-31页 |
| ·实验原料 | 第31-32页 |
| ·水热法合成Ge/SiOx 纳米电缆 | 第32页 |
| ·样品的表征 | 第32页 |
| ·GE/SIOX 纳米电缆的显微结构及成份分析 | 第32-35页 |
| ·Ge/SiOx 纳米电缆透射电镜分析 | 第32-33页 |
| ·Ge/SiOx 纳米同轴电缆的高分辨透射电镜分析 | 第33-34页 |
| ·能量色散谱仪EDS 分析 | 第34页 |
| ·Ge/SiOx 纳米电缆的形貌分析 | 第34-35页 |
| ·GE/SIOX 纳米同轴电缆生长机理的探讨 | 第35-38页 |
| ·高温高压下水的行为 | 第35-36页 |
| ·水热温差技术 | 第36-37页 |
| ·Ge/SiOx 纳米电缆的生长机理 | 第37-38页 |
| ·其他实验条件下获得的产物 | 第38-41页 |
| ·原料配比对产物的影响 | 第38-39页 |
| ·其他原料获得的产物 | 第39-40页 |
| ·实验中获得的其他特殊形态产物 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第3章 氧化锗一维纳米结构的水热制备及其发光特性 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·氧化锗一维纳米结构的水热制备 | 第43-45页 |
| ·实验设备 | 第43-44页 |
| ·实验原料 | 第44页 |
| ·氧化锗纳米结构的制备工艺 | 第44页 |
| ·样品表征 | 第44-45页 |
| ·氧化锗纳米结构的显微结构和成分分析 | 第45-49页 |
| ·氧化锗一维纳米结构的发光性能的研究 | 第49-50页 |
| ·氧化锗一维纳米结构的生长机理 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 纤蛇纹石纳米管的水热制备 | 第51-61页 |
| ·前言 | 第51-52页 |
| ·实验 | 第52-53页 |
| ·实验设备 | 第52页 |
| ·实验原料 | 第52页 |
| ·纤蛇纹石的具体合成工艺 | 第52-53页 |
| ·纤蛇纹石样品的表征 | 第53页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的显微结构及成份分析 | 第53-57页 |
| ·纤蛇纹石纳米管形貌分析 | 第53页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的TEM 和HRTEM 表征 | 第53-54页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的成分分析 | 第54-55页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的XRD 表征 | 第55-56页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的差热分析 | 第56页 |
| ·纤蛇纹石纳米管的红外分析 | 第56-57页 |
| ·纤蛇纹石纳米管生长机理的初步分析 | 第57-58页 |
| ·其他反应条件下获得的产物 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第73页 |