首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--振荡技术、振荡器论文--振荡器论文

高频双带CMOS LC正交压控振荡器设计

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第9-15页
   ·压控振荡器(VCO)的研究背景和意义第9-10页
   ·VCO 的发展历史和趋势第10-13页
     ·VCO 的发展历史第10-12页
     ·VCO 的发展趋势第12-13页
   ·射频电路中的CMOS 工艺第13-14页
   ·本文研究内容第14-15页
第2章 VCO 工作原理及相位噪声分析第15-33页
   ·LC 振荡器第15-17页
   ·VCO 的数学模型第17-19页
   ·CMOS 交叉耦合压控振荡器第19-21页
   ·VCO 的相位噪声第21-32页
     ·振荡器噪声分类第21-23页
     ·MOS 晶体管噪声模型第23-24页
     ·振荡器的相位噪声理论第24-32页
   ·本章小结第32-33页
第3章 硅基集成电感和电容设计第33-41页
   ·硅基集成电感优化设计第33-39页
     ·片上电感的物理模型第34-37页
     ·片上电感的优化设计第37-39页
   ·片上电容设计第39-40页
   ·本章小结第40-41页
第4章 正交压控振荡器电路设计第41-52页
   ·交差耦合 LC 正交振荡器第41-43页
   ·QVCO 电路结构第43-47页
     ·LC 回路设计第43-45页
     ·频率调节方式第45-46页
     ·低谐波失真设计第46-47页
   ·电路仿真及结果第47-51页
   ·本章小结第51-52页
第5章 版图设计第52-62页
   ·版图设计规则第52-54页
   ·电路版图设计第54-61页
     ·MOS 管设计第54-56页
     ·对称性设计第56-59页
     ·电阻设计第59-60页
     ·整体版图第60-61页
   ·本章小结第61-62页
结论第62-63页
参考文献第63-66页
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录)第66-67页
致谢第67页

论文共67页,点击 下载论文
上一篇:基于Mallat算法的地震信号消噪的应用研究
下一篇:采用有源电感的CMOS低噪声放大器设计