高频双带CMOS LC正交压控振荡器设计
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
·压控振荡器(VCO)的研究背景和意义 | 第9-10页 |
·VCO 的发展历史和趋势 | 第10-13页 |
·VCO 的发展历史 | 第10-12页 |
·VCO 的发展趋势 | 第12-13页 |
·射频电路中的CMOS 工艺 | 第13-14页 |
·本文研究内容 | 第14-15页 |
第2章 VCO 工作原理及相位噪声分析 | 第15-33页 |
·LC 振荡器 | 第15-17页 |
·VCO 的数学模型 | 第17-19页 |
·CMOS 交叉耦合压控振荡器 | 第19-21页 |
·VCO 的相位噪声 | 第21-32页 |
·振荡器噪声分类 | 第21-23页 |
·MOS 晶体管噪声模型 | 第23-24页 |
·振荡器的相位噪声理论 | 第24-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第3章 硅基集成电感和电容设计 | 第33-41页 |
·硅基集成电感优化设计 | 第33-39页 |
·片上电感的物理模型 | 第34-37页 |
·片上电感的优化设计 | 第37-39页 |
·片上电容设计 | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
第4章 正交压控振荡器电路设计 | 第41-52页 |
·交差耦合 LC 正交振荡器 | 第41-43页 |
·QVCO 电路结构 | 第43-47页 |
·LC 回路设计 | 第43-45页 |
·频率调节方式 | 第45-46页 |
·低谐波失真设计 | 第46-47页 |
·电路仿真及结果 | 第47-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第5章 版图设计 | 第52-62页 |
·版图设计规则 | 第52-54页 |
·电路版图设计 | 第54-61页 |
·MOS 管设计 | 第54-56页 |
·对称性设计 | 第56-59页 |
·电阻设计 | 第59-60页 |
·整体版图 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
结论 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-66页 |
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第66-67页 |
致谢 | 第67页 |