| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·有机发光二极管(OLED)发展现状 | 第10-12页 |
| ·OLED 发光基本原理 | 第12-17页 |
| ·载流子注入与传输 | 第13-15页 |
| ·激子形成以及辐射 | 第15-17页 |
| ·OLED 器件结构 | 第17-19页 |
| ·OLED 器件有机材料 | 第19-20页 |
| ·OLED 器件制备方法 | 第20-21页 |
| ·目前的发展优势与挑战 | 第21-22页 |
| ·本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 半导体界面表征技术与器件测试技术 | 第23-35页 |
| ·有机半导体界面 | 第23-29页 |
| ·有机半导体电子能级概念 | 第23-24页 |
| ·有机半导体界面特征 | 第24-26页 |
| ·界面物理-能级极化、能级弯曲 | 第26-27页 |
| ·叠层器件中内部连接层有机-无机界面研究 | 第27-29页 |
| ·相关实验技术 | 第29-35页 |
| ·X-射线光电子能谱和紫外光电子能谱 | 第29-32页 |
| ·常温探针台电压-电容测试法 | 第32-33页 |
| ·真空蒸发仪 OLED 器件制作 | 第33-34页 |
| ·DMD 光刻制作微透镜 | 第34-35页 |
| 第三章 基于 MoO3内部连接层的叠层 OLED 器件 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·Mg:Alq_3的叠层 OLED 器件特性研究 | 第36-40页 |
| ·CsN_3:BPhen 的叠层 OLED 器件特性研究 | 第40-43页 |
| ·Cs_2CO_3:BPhen/MoO_3/MoO_3:NPB 的叠层 OLED 器件特性研究 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于 MoO_3内部连接层的界面电子结构 | 第45-59页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·CsN_3：BPhen/MoO_3的相关内部连接层界面研究 | 第46-52页 |
| ·CsN_3：Alq3/MoO_3的相关内部连接层界面研究 | 第52-55页 |
| ·Mg:Alq3/MoO_3的相关内部连接层界面研究 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 基于 MoO_3内部连接层电荷产生机理研究 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·内部连接层 CsN_3：BPhen/MoO_3的电容特性分析 | 第59-66页 |
| ·倒置内部连接层器件的电容-电压特性 | 第59-63页 |
| ·正置内部连接层器件的电容-电压特性 | 第63-66页 |
| ·内部连接层 Cs2CO_3:BPhen/MoO_3/MoO_3:NPB 的电容特性分析 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 F4-TCNQ 在有机空穴传输层中的掺杂研究 | 第69-77页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·NPB 系列空穴传输材料的界面研究 | 第70-73页 |
| ·NPB 系列空穴传输材料迁移率提高机理研究 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第七章 微透镜在 OLED 中的光提取研究 | 第77-84页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·采用 DMD 光刻技术制备微透镜薄膜研究 | 第77-80页 |
| ·微透镜薄膜在 OLED 中的光提取研究 | 第80-82页 |
| ·基于微透镜光提取的模拟计算研究 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第八章 全文总结 | 第84-87页 |
| （一）叠层 OLED 器件内部连接层工作机理以及器件特性研究 | 第84-85页 |
| （二）有机掺杂提高载流子迁移率机理的初步研究 | 第85-86页 |
| （三）基于微透镜在 OLED 中的光提取研究 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
