| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 环境半导体β-FeSi2的研究背景及基本性质 | 第8-27页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·什么是环境半导体材料 | 第8页 |
| ·研究环境半导体材料的意义 | 第8-9页 |
| ·β-FeSi2作为一种环境半导体光电子材料的研究意义 | 第9页 |
| ·制备均一大尺寸β-FeSi2薄膜的意义 | 第9-10页 |
| ·半导体β-FeSi2的基本性质 | 第10-17页 |
| ·Fe-Si化合物 | 第10-11页 |
| ·β-FeSi2的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·β-FeSi2薄膜与衬底Si之间的外延关系 | 第12-13页 |
| ·β-FeSi2的电子及能带结构 | 第13-15页 |
| ·β-FeSi2的光学性质 | 第15-16页 |
| ·β-FeSi2的导电、掺杂及输运性质 | 第16页 |
| ·β-FeSi2的热电性质 | 第16-17页 |
| ·β-FeSi2薄膜的制备技术 | 第17-23页 |
| ·固相外延法 | 第18页 |
| ·反应沉积外延法 | 第18-19页 |
| ·分子束外延 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射法 | 第20-23页 |
| ·制备方法的比较 | 第23页 |
| ·β-FeSi2的研究现状及存在的问题 | 第23-27页 |
| ·国内外研究现状 | 第23-25页 |
| ·β-FeSi2研究存在的问题 | 第25页 |
| ·论文的主要内容和解决的关键问题 | 第25-27页 |
| 第二章 β-FeSi2的制备方法与表征手段 | 第27-37页 |
| 引言 | 第27页 |
| ·制备仪器和测试仪器简介 | 第27-34页 |
| ·磁控溅射仪简介 | 第27-29页 |
| ·高真空退火设备简介 | 第29-30页 |
| ·X射线衍射仪 | 第30-32页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第32-34页 |
| ·实验所需的原材料 | 第34-35页 |
| ·靶材与基片的清洗 | 第35-37页 |
| 第三章 Fe膜厚度对β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第37-45页 |
| 引言 | 第37页 |
| ·工艺参数的设定和制备过程 | 第37-38页 |
| ·Fe膜厚度对β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第38-43页 |
| ·晶体结构表征(XRD) | 第38-42页 |
| ·晶体显微结构表征(SEM) | 第42-43页 |
| 小结 | 第43-45页 |
| 第四章 热处理参数对大尺寸β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第45-65页 |
| 引言 | 第45页 |
| ·工艺参数的设定和制备过程 | 第45-47页 |
| ·退火温度对大尺寸β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第47-53页 |
| ·晶体结构表征(XRD) | 第47-51页 |
| ·晶体显微结构表征(SEM) | 第51-53页 |
| ·退火时间对大尺寸β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第53-63页 |
| ·固定退火温度900℃、不同退火时间对大尺寸β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第53-59页 |
| ·固定退火温度880℃、不同退火时间对大尺寸β-FeSi2薄膜生长的影响 | 第59-63页 |
| 小结 | 第63-65页 |
| 第五章 大尺寸β-FeSi2薄膜均匀性的研究 | 第65-70页 |
| 引言 | 第65页 |
| ·工艺参数的设定和制备过程 | 第65-66页 |
| ·大尺寸Fe薄膜均匀性的分析 | 第66-68页 |
| ·大尺寸β-FeSi2薄膜均匀性的分析 | 第68-69页 |
| 小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 附录:发表论文及参加课题 | 第81-82页 |
