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四硫富瓦烯扩展杂环衍生物电荷传输性质的理论研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 前言第9-15页
   ·引言第9页
   ·有机场效应晶体管简介第9页
   ·有机场效应晶体管半导体材料第9-10页
   ·有机场效应晶体管半导体材料研究进展第10-14页
   ·立题思想第14-15页
第二章 五员杂环并TTF衍生物电荷传输性质研究第15-22页
   ·引言第15页
   ·计算模型及方法第15-16页
   ·结果与讨论第16-21页
     ·分子稳定几何结构第16页
     ·前线轨道第16-17页
     ·光物理性质第17-21页
   ·本章小结第21-22页
第三章 有机场效应材料氟化噻吩并TTF衍生物电荷传输性质研究第22-29页
   ·引言第22页
   ·计算模型第22-23页
   ·结果与讨论第23-28页
     ·分子稳定几何结构第23页
     ·HOMO-LUMO能隙第23-24页
     ·光物理性质第24-28页
   ·本章小结第28-29页
第四章 六员杂环并TTF衍生物电荷传输性质研究第29-36页
   ·引言第29页
   ·计算模型第29页
   ·结果与讨论第29-35页
     ·分子稳定几何结构第29-30页
     ·前线轨道能级与重组能第30-31页
     ·转移积分与迁移率第31-35页
   ·本章小结第35-36页
第五章 结论第36-37页
参考文献第37-42页
致谢第42-43页
攻读硕士学位期间发表和待发表论文第43页

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