| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-14页 |
| ·研究背景与意义 | 第7-10页 |
| ·国内外的研究现状 | 第10-12页 |
| ·立题依据 | 第12页 |
| ·本研究工作 | 第12-13页 |
| ·中子元素分析中干扰γ射线的屏蔽 | 第13-14页 |
| 第2章 γ(X)射线与物质相互作用的机制 | 第14-22页 |
| ·光电效应 | 第14-18页 |
| ·光电子的能量 | 第15-16页 |
| ·光电截面 | 第16-17页 |
| ·光电子的角分布 | 第17-18页 |
| ·康普顿效应 | 第18-20页 |
| ·电子对效应 | 第20-22页 |
| 第3章 剂量增强基本原理 | 第22-25页 |
| ·剂量增强效应的引发机制 | 第22-23页 |
| ·器件的剂量增强效应 | 第23页 |
| ·剂量增强系数DEF | 第23-25页 |
| 第4章 蒙特卡罗(Monte Carlo)方法 | 第25-33页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第25页 |
| ·粒子输运问题 | 第25-26页 |
| ·MCNP基础 | 第26-27页 |
| ·MCNP解光子在介质中的输运问题 | 第27-28页 |
| ·简单的物理处理过程 | 第27-28页 |
| ·详细的物理处理过程 | 第28页 |
| ·MCNP误差的估计 | 第28-29页 |
| ·MCNP效率因素 | 第29-30页 |
| ·减小方差的技巧 | 第30-31页 |
| ·MCNP 程序运行结构 | 第31-33页 |
| 第5章 模型建立和模拟计算 | 第33-37页 |
| ·问题的提出 | 第33页 |
| ·物理几何模型的建立 | 第33-35页 |
| ·模拟计算 | 第35-37页 |
| 第6章 数据处理及分析 | 第37-47页 |
| ·Au-Si结构的剂量增强效应 | 第37-39页 |
| ·不同厚度的金在Au-CuPc界面附近的剂量增强效应 | 第39-42页 |
| ·X射线不同方向入射界面产生剂量增强的研究 | 第42-43页 |
| ·中子元素分析中干扰γ射线的屏蔽 | 第43-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 附录 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 摘要 | 第54-56页 |
| Abstract | 第56-57页 |