表面沉积铜薄膜多孔硅的制备及其发光特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·多孔硅的研究现状 | 第9-11页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第11-20页 |
| ·电化学腐蚀法(阳极腐蚀法) | 第11-16页 |
| ·光化蚀法学腐 | 第16-17页 |
| ·刻蚀法 | 第17-18页 |
| ·水热腐蚀法 | 第18-20页 |
| ·提高多孔硅发光强度和稳定性的方法 | 第20-22页 |
| ·表面氧化处理 | 第20-21页 |
| ·金属钝化多孔硅表面 | 第21-22页 |
| ·粒子辐照 | 第22页 |
| ·多孔硅的应用 | 第22-25页 |
| ·多孔硅在光电探测器方面的应用 | 第22-23页 |
| ·多孔硅在光电集成器件中的应用 | 第23-24页 |
| ·多孔硅在传感技术中的应用 | 第24页 |
| ·多孔硅在太阳能电池中的应用 | 第24-25页 |
| ·本论文研究的内容和意义 | 第25-26页 |
| ·本论文研究的创新点 | 第26-27页 |
| 第二章 实验部分 | 第27-31页 |
| ·实验所需原材料以及仪器 | 第27-28页 |
| ·材料性能表征 | 第28-31页 |
| 第三章 多孔硅制备及发光特性研究 | 第31-46页 |
| ·电解池实验装置和实验方法 | 第31-34页 |
| ·电解池实验装置 | 第31页 |
| ·实验方法 | 第31-33页 |
| ·保存方法 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-39页 |
| ·多孔硅表面形貌的表征 | 第34-38页 |
| ·多孔硅孔隙率的研究 | 第38页 |
| ·多孔硅层厚度的研究 | 第38-39页 |
| ·多孔硅的形成机理模型 | 第39-41页 |
| ·Beal耗尽模型 | 第39-40页 |
| ·扩散限制模型 | 第40页 |
| ·量子理论模型 | 第40-41页 |
| ·多孔硅光致发光性能研究 | 第41-43页 |
| ·多孔硅的光致发光机理模型 | 第43-45页 |
| ·量子限制效应模型 | 第43页 |
| ·表面态发光模型 | 第43页 |
| ·复合发光模型 | 第43-44页 |
| ·硅-氢键或多硅烷的发光 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 表面沉积铜的多孔硅发光特性研究 | 第46-60页 |
| ·实验方法 | 第46-48页 |
| ·实验条件的设定 | 第46-47页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·表面沉积铜多孔硅的表面形貌 | 第48-49页 |
| ·沉积铜后多孔硅的光致发光性能 | 第49-53页 |
| ·发光机理 | 第53-58页 |
| ·XPS研究 | 第53-57页 |
| ·FTIR研究 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-63页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 附录 攻读硕士期间的学术成果 | 第71页 |
