| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第11-12页 |
| 2 文献综述 | 第12-32页 |
| 2.1 磁电材料简介 | 第12-17页 |
| 2.1.1 磁电材料的发展与分类 | 第12-15页 |
| 2.1.2 磁电材料的基本理论 | 第15-17页 |
| 2.2 Fe-Ga磁致伸缩薄膜 | 第17-30页 |
| 2.2.1 Fe-Ga合金的相结构 | 第19-21页 |
| 2.2.2 Fe-Ga合金的力学性能 | 第21-23页 |
| 2.2.3 温度对Fe-Ga磁致伸缩薄膜的影响 | 第23-24页 |
| 2.2.4 Ga含量与掺杂对Fe-Ga磁致伸缩薄膜的影响 | 第24-26页 |
| 2.2.5 衬底与应力对Fe-Ga磁致伸缩薄膜的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.6 溅射参数对Fe-Ga磁致伸缩薄膜的影响 | 第27-28页 |
| 2.2.7 含Fe-Ga的磁电器件 | 第28-30页 |
| 2.3 AlN压电薄膜 | 第30-32页 |
| 3 研究意义、内容与方法 | 第32-46页 |
| 3.1 研究意义 | 第32-33页 |
| 3.2 研究内容 | 第33-34页 |
| 3.3 研究方法 | 第34-46页 |
| 3.3.1 薄膜制备 | 第34-37页 |
| 3.3.2 组织结构分析 | 第37-38页 |
| 3.3.3 磁性能测量 | 第38页 |
| 3.3.4 压电性能与磁畴结构 | 第38-40页 |
| 3.3.5 电阻测试 | 第40页 |
| 3.3.6 力学性能 | 第40页 |
| 3.3.7 磁致伸缩性能 | 第40-44页 |
| 3.3.8 磁电性能 | 第44-46页 |
| 4 Fe-Ga/PZT/Fe-Ga磁电器件的研究 | 第46-69页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 粘结Fe-Ga/PZT/Fe-Ga器件的性能 | 第46-48页 |
| 4.3 PZT基体上磁控溅射Fe-Ga薄膜 | 第48-55页 |
| 4.3.1 靶材性能分析 | 第48-50页 |
| 4.3.2 Fe-Ga薄膜与PZT基体的润湿性 | 第50-53页 |
| 4.3.3 PZT基体对Fe-Ga薄膜晶粒尺寸的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 Fe-Ga/PZT/Fe-Ga磁电性能与Fe-Ga薄膜性能的相关性分析 | 第55-68页 |
| 4.4.1 Fe-Ga/PZT/Fe-Ga磁电器件的制备与Fe-Ga薄膜的组织形貌 | 第55-58页 |
| 4.4.2 Fe-Ga/PZT/Fe-Ga磁电器件的磁电性能 | 第58-59页 |
| 4.4.3 Fe-Ga薄膜的力学、电学性能与器件磁电性能的相关性分析 | 第59-63页 |
| 4.4.4 Fe-Ga薄膜的磁性能与器件磁电性能的相关性分析 | 第63-65页 |
| 4.4.5 Fe-Ga薄膜的磁致伸缩、磁弹性能与磁电性能的相关性分析 | 第65-67页 |
| 4.4.6 基于磁-力-电模型与相关性分析的磁电系数计算公式 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 5 硅衬底上Fe-Ga、AlN薄膜的制备与性能研究 | 第69-100页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 衬底与缓冲层对Fe-Ga薄膜的物性的影响 | 第69-81页 |
| 5.3 溅射参数对Fe-Ga薄膜物性的影响 | 第81-94页 |
| 5.3.1 靶基距对Fe-Ga薄膜物性的影响 | 第81-84页 |
| 5.3.2 Ar流量对Fe-Ga薄膜物性的影响 | 第84-87页 |
| 5.3.3 溅射压强对Fe-Ga薄膜物性的影响 | 第87-90页 |
| 5.3.4 溅射功率对Fe-Ga薄膜物性的影响 | 第90-94页 |
| 5.4 AlN薄膜的制备与性能表征 | 第94-99页 |
| 5.4.1 硅衬底上AlN薄膜的制备与组织形貌 | 第94-96页 |
| 5.4.2 硅衬底上AlN薄膜的压电性能 | 第96-99页 |
| 5.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 6 Fe-Ga/AlN磁电器件的制备与性能研究 | 第100-106页 |
| 6.1 引言 | 第100页 |
| 6.2 Fe-Ga/AlN/Mo/Si(100)磁电器件的设计与制备 | 第100-101页 |
| 6.3 Fe-Ga/AlN/Mo/Si(100)磁电器件的性能 | 第101-105页 |
| 6.3.1 Fe-Ga/AlN/Mo/Si(100)磁电器件的XRD与AlN的压电性能 | 第101-102页 |
| 6.3.2 Fe-Ga/AlN/Mo/Si(100)磁电器件中Fe-Ga薄膜的磁弹性能 | 第102-103页 |
| 6.3.3 Fe-Ga/AlN/Mo/Si(100)磁电器件的磁电性能 | 第103-105页 |
| 6.4 本章小结 | 第105-106页 |
| 7 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜及(Fe-Ga/Fe-Ni)n/AlN/Mo/Si(100)磁电器件的研究 | 第106-115页 |
| 7.1 引言 | 第106页 |
| 7.2 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜磁电器件的设计与制备 | 第106-107页 |
| 7.3 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜磁电器件的XRD与TEM | 第107-109页 |
| 7.4 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜及磁电器件的性能 | 第109-114页 |
| 7.4.1 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜的磁畴结构与磁性能 | 第109-111页 |
| 7.4.2 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜的磁致伸缩与磁弹性能 | 第111-113页 |
| 7.4.3 (Fe-Ga/Fe-Ni)多层膜磁电器件的磁电性能 | 第113-114页 |
| 7.5 本章小结 | 第114-115页 |
| 8 结论 | 第115-117页 |
| 8.1 结论与展望 | 第115-116页 |
| 8.2 创新点 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-130页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第130-134页 |
| 学位论文数据集 | 第134页 |
