| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-16页 |
| 第一章 文献综述 | 第16-27页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·国内外研究进展 | 第17-25页 |
| ·金属诱导晶化法研究进展 | 第17-19页 |
| ·铝诱导晶化法研究进展 | 第19-23页 |
| ·在铝诱导多晶硅薄膜上外延生长薄膜及制备太阳电池研究进展 | 第23-25页 |
| ·本文的研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-38页 |
| ·主要设备及原料 | 第27-28页 |
| ·实验设备 | 第27页 |
| ·实验原料 | 第27-28页 |
| ·薄膜制备 | 第28-32页 |
| ·衬底清洗 | 第28-29页 |
| ·真空蒸镀法沉积薄膜 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射法沉积薄膜 | 第30-31页 |
| ·样品的退火处理 | 第31页 |
| ·腐蚀去除铝层 | 第31-32页 |
| ·性能表征仪器及方法 | 第32-38页 |
| ·检测设备 | 第32页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第32-33页 |
| ·激光拉曼散射光谱仪 | 第33-34页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第34-35页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| ·台阶仪 | 第36页 |
| ·金相显微镜 | 第36-37页 |
| ·紫外可见近红外光谱仪 | 第37-38页 |
| 第三章 铝/氧化铝/非晶硅叠层膜制备铝诱导多晶硅薄膜 | 第38-72页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·铝/氧化铝/非晶硅叠层膜制备铝诱导多晶硅薄膜性能 | 第39-54页 |
| ·硅铝界面有 A1_2_03 且原始 a-Si/Al 层厚度比为 6:1 | 第39-44页 |
| ·硅铝界面有A1_2_03且原始a-Si/Al层厚度比为1.2:1 | 第44-47页 |
| ·硅铝界面无A1_2_03且原始a-Si/Al层厚度比为1.2:1 | 第47-50页 |
| ·结果讨论 | 第50-54页 |
| ·铝诱导晶化的其它影响因素 | 第54-63页 |
| ·退火条件的影响 | 第55-59页 |
| ·衬底的影响 | 第59-62页 |
| ·原始硅薄膜中氧含量的影响 | 第62-63页 |
| ·由双层铝诱导多晶硅薄膜制备高质量多晶硅薄膜及机理探讨 | 第63-71页 |
| ·制备独立铝诱导多晶硅大晶粒及其分形研究 | 第63-66页 |
| ·制备高质量多晶硅薄膜 | 第66-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 非晶硅/氧化硅/铝叠层膜制备铝诱导多晶硅薄膜 | 第72-92页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·非晶硅/氧化硅/铝叠层膜制备的铝诱导多晶硅薄膜性能 | 第72-80页 |
| ·表面形貌 | 第73-75页 |
| ·晶体结构 | 第75-77页 |
| ·结晶质量 | 第77-78页 |
| ·铝诱导多晶硅薄膜的电学性能 | 第78-79页 |
| ·双层膜 | 第79-80页 |
| ·影响因素 | 第80-90页 |
| ·原始硅铝层厚度比 | 第80-84页 |
| ·非晶硅氧化时间的影响 | 第84-86页 |
| ·退火温度的影响 | 第86-87页 |
| ·不同衬底材料的影响 | 第87-90页 |
| ·以铝诱导多晶硅薄膜为籽晶层外延生长硅薄膜 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜退火时间的方法和机理 | 第92-103页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·晶粒均匀长大的方法与机理 | 第93-99页 |
| ·实验结果 | 第93-94页 |
| ·结果讨论 | 第94-99页 |
| ·缩短退火时间的方法与机理 | 第99-102页 |
| ·实验结果 | 第99-100页 |
| ·结果讨论 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 结论与展望 | 第103-107页 |
| ·结论 | 第103-105页 |
| ·主要创新点 | 第105页 |
| ·展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第117-119页 |
| 攻读博士学位期间参加科研项目情况 | 第119页 |
