系统级封装中硅基无源集成技术研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 SiP发展概述 | 第9-11页 |
| 1.1.1 系统封装集成概述 | 第9-10页 |
| 1.1.2 射频系统级封装与无源集成 | 第10-11页 |
| 1.2 硅基无源集成技术 | 第11-12页 |
| 1.2.1 常用无源集成基板材料性能对比 | 第11页 |
| 1.2.2 高阻硅基无源集成主要优势 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 硅基板上系统集成 | 第12-13页 |
| 1.3.2 硅基无源集成 | 第13-15页 |
| 1.3.3 国内外现状小结 | 第15页 |
| 1.4 本文章节安排 | 第15-17页 |
| 第二章 滤波器设计基本理论 | 第17-28页 |
| 2.1 集总参数谐振器 | 第17-19页 |
| 2.1.1 串联RLC谐振电路 | 第17-18页 |
| 2.1.2 并联RLC谐振电路 | 第18-19页 |
| 2.2 基于插入损耗法的滤波器设计原理及流程 | 第19-24页 |
| 2.2.1 低通原型滤波网络 | 第19-20页 |
| 2.2.2 电路等效变换 | 第20页 |
| 2.2.3 低通-带通频率变换 | 第20-22页 |
| 2.2.4 耦合谐振滤波器集总形式 | 第22-24页 |
| 2.3 滤波网络的耦合矩阵 | 第24-27页 |
| 2.3.1 耦合矩阵建立 | 第25-26页 |
| 2.3.2 耦合矩阵的网络分析 | 第26页 |
| 2.3.3 耦合矩阵综合方法 | 第26-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 第三章 硅基集成电感设计与优化 | 第28-41页 |
| 3.1 硅基电感简介 | 第28-29页 |
| 3.1.1 电感物理结构 | 第28页 |
| 3.1.2 平面螺旋电感模型 | 第28-29页 |
| 3.1.3 有效电感值与品质因数 | 第29页 |
| 3.2 电感值计算仿真研究 | 第29-33页 |
| 3.2.1 自感仿真 | 第30-32页 |
| 3.2.2 互感计算与仿真 | 第32-33页 |
| 3.3 电感Q值仿真与优化 | 第33-39页 |
| 3.3.1 损耗机理分析 | 第33页 |
| 3.3.2 电感设计优化中的结构参数 | 第33-36页 |
| 3.3.3 提升电感Q值的其他因素 | 第36-39页 |
| 3.4 互感结构与模型 | 第39-40页 |
| 3.5 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 频变交叉耦合带通滤波器的耦合矩阵综合研究 | 第41-50页 |
| 4.1 频变耦合 | 第41-43页 |
| 4.1.1 频变耦合矩阵及其广义特征值 | 第41-43页 |
| 4.2 特征值优化方法 | 第43-45页 |
| 4.2.1 目标函数与优化流程 | 第43页 |
| 4.2.2 多项式综合方法 | 第43-44页 |
| 4.2.3 优化变量的梯度计算 | 第44-45页 |
| 4.3 应用实例与分析 | 第45-49页 |
| 4.3.1 特征值优化算法的数值实例 | 第45-47页 |
| 4.3.2 传输零点与带外抑制 | 第47-48页 |
| 4.3.3 传输零点与频变耦合节点的系数 | 第48-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 硅基IPD带通滤波器设计与优化 | 第50-65页 |
| 5.1 频变耦合滤波器设计 | 第50-57页 |
| 5.1.1 频变耦合的J/K变换器 | 第50-52页 |
| 5.1.2 频变耦合集总电路形式 | 第52-57页 |
| 5.1.3 混合耦合小结 | 第57页 |
| 5.2 四阶带通滤波器设计 | 第57-60页 |
| 5.2.1 滤波器指标要求 | 第57页 |
| 5.2.2 滤波器设计分析 | 第57-58页 |
| 5.2.3 从耦合矩阵到滤波器原理电路图 | 第58-59页 |
| 5.2.4 耦合电感的互感替换 | 第59-60页 |
| 5.3 滤波器版图设计 | 第60-62页 |
| 5.3.1 IPD工艺结构与版图设计 | 第60页 |
| 5.3.2 互感对结构 | 第60-61页 |
| 5.3.3 电容与滤波器优化 | 第61-62页 |
| 5.4 四阶双频变耦合滤波器电路设计 | 第62-64页 |
| 5.5 小结 | 第64-65页 |
| 第六章 硅基带通滤波器的实现与容差分析 | 第65-76页 |
| 6.1 硅基带通滤波器的工艺实现 | 第65-68页 |
| 6.1.1 IPD工艺剖面结构及参数 | 第65-66页 |
| 6.1.2 硅基IPD工艺流程介绍 | 第66-68页 |
| 6.2 滤波器流片及测试 | 第68-71页 |
| 6.2.1 流片 | 第68-69页 |
| 6.2.2 样品测试与分析 | 第69-71页 |
| 6.3 四阶双频变耦合滤波器容差分析 | 第71-73页 |
| 6.4 四阶双频变滤波器工作频率拓展研究 | 第73-75页 |
| 6.4.1 S波段滤波器的设计 | 第73-74页 |
| 6.4.2 C波段滤波器的设计 | 第74-75页 |
| 6.5 小结 | 第75-76页 |
| 第七章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 7.1 本文主要内容 | 第76页 |
| 7.2 本文主要创新点 | 第76-77页 |
| 7.3 未来工作展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 附录A 硕士研究生期间发表论文情况 | 第84页 |
