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基于自适应有限元多场耦合相场模型模拟的并行计算研究

摘要第9-10页
Abstract第10-11页
第1章 绪论第15-20页
    1.1 研究背景及意义第15-16页
    1.2 国内外研究现状第16-18页
    1.3 本文主要研究内容第18页
    1.4 本文的主要创新点第18页
    1.5 论文组织框架第18-19页
    1.6 本章小结第19-20页
第2章 高性能并行计算概述第20-32页
    2.1 并行计算概念第20页
    2.2 并行计算机第20-25页
        2.2.1 对称多处理机第21页
        2.2.2 分布式共享存储多处理机第21-22页
        2.2.3 大规模并行计算机系统第22-23页
        2.2.4 机群系统第23-24页
        2.2.5 并行计算机的对比第24-25页
    2.3 并行编程模型第25-29页
        2.3.1 分布式存储模型第25-27页
        2.3.2 共享内存模型第27-28页
        2.3.3 GPU通用计算模型第28-29页
        2.3.4 区域分解并行第29页
    2.4 MPI+OpenMP混合编程模型第29-31页
        2.4.1 OpenMP+MPI混合并行第30页
        2.4.2 OpenMP+MPI混合并行优势第30-31页
    2.5 本章小结第31-32页
第3章 自适应有限元法第32-42页
    3.1 有限元方法概述第32-35页
        3.1.1 有限元的构建第32-35页
    3.2 网格自适应技术第35-40页
        3.2.1 网格生成方法第35-36页
        3.2.2 网格加密准则第36-37页
        3.2.3 离散误差估计第37页
        3.2.4 自适应策略第37页
        3.2.5 网格自适应加密粗化第37-40页
    3.3 h型自适应有限元法第40-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第4章 多场耦合相场模型及并行设计第42-53页
    4.1 相场法基本理论第42-43页
    4.2 耦合温度场纯物质相场模型第43-44页
        4.2.1 计算参数第44页
        4.2.2 初始条件和边界条件第44页
    4.3 耦合溶质场的二元合金相场模型第44-46页
        4.3.1 二元合金相场模型第44-45页
        4.3.2 随机扰动第45页
        4.3.3 计算参数第45-46页
        4.3.4 初始条件和边界条件第46页
    4.4 相场模型的并行实现第46-52页
        4.4.1 模型并行求解分析第46-48页
        4.4.2 计算域的划分第48-50页
        4.4.3 基于MPI的相场模型并行实现第50-51页
        4.4.4 基于MPI+OpenMP相场模型的并行实现第51-52页
    4.5 本章小结第52-53页
第5章 模拟结果及并行化分析第53-63页
    5.1 纯物质相场模型模拟结果第53-58页
        5.1.1 不同数值模拟方法比较第53-54页
        5.1.2 耦合温度场、相场枝晶生长形貌第54-57页
        5.1.3 计算域大小对相场形貌的影响第57-58页
    5.2 Al-Cu合金相场模型计算模拟结果第58-59页
        5.2.1 自适应网格第58页
        5.2.2 耦合溶质场、相场枝晶生长形貌第58-59页
        5.2.3 计算域大小对枝晶形貌的影响第59页
    5.3 相场模型并行计算结果分析第59-62页
        5.3.1 基于MPI计算效率分析第59-61页
        5.3.2 基于MPI+OpenMP的计算效率分析第61-62页
    5.4 本章小结第62-63页
总结与展望第63-65页
参考文献第65-71页
致谢第71-72页
附录A 攻读硕士学位期间所发表的学术论文第72-73页
附录B 攻读硕士学位期间所参与的科研项目第73页

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