氧化钨薄膜的磁控溅射法制备及其电致变色性能研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 无机电致变色材料及器件的结构 | 第9-11页 |
| 1.3 无机电致变色材料的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4 无机电致变色固态电解质的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.4.1 LLTO | 第12-13页 |
| 1.4.2 LiNbO_3 | 第13-14页 |
| 1.4.3 LiTaO_3 | 第14页 |
| 1.4.4 氧化物玻璃态电解质 | 第14-15页 |
| 1.4.5 各电解质比较 | 第15页 |
| 1.5 无机电致变色器件的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5.1 国外电致变色器件发展状况 | 第15-16页 |
| 1.5.2 国内电致变色器件发展状况 | 第16-17页 |
| 1.6 氧化钨电致变色材料的变色机理 | 第17-19页 |
| 1.6.1 Deb色心理论 | 第17页 |
| 1.6.2 双注入模型/价间电荷转移模型 | 第17-18页 |
| 1.6.3 自由电子模型 | 第18-19页 |
| 1.7 本文课题研究的意义与内容 | 第19-21页 |
| 1.7.1 课题研究的目的与意义 | 第19-20页 |
| 1.7.2 课题研究的内容 | 第20-21页 |
| 第2章 氧化钨薄膜的直流反应磁控溅射法制备 | 第21-34页 |
| 2.1 实验仪器与测试设备 | 第21-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射仪 | 第22-23页 |
| 2.1.2 分光光度计 | 第23页 |
| 2.1.3 电化学工作站 | 第23-25页 |
| 2.1.4 台阶仪 | 第25页 |
| 2.1.5 其他 | 第25页 |
| 2.2 实验参数的设定 | 第25-34页 |
| 2.2.1 氧氩流量比 | 第26-27页 |
| 2.2.2 溅射气压 | 第27-28页 |
| 2.2.3 基片温度 | 第28-29页 |
| 2.2.4 功率 | 第29-31页 |
| 2.2.5 沉积倾斜角度 | 第31-32页 |
| 2.2.6 薄膜厚度 | 第32页 |
| 2.2.7 注入离子/电荷量 | 第32页 |
| 2.2.8 导电玻璃的选择 | 第32-34页 |
| 第3章 氧化钨薄膜的电致变色性能 | 第34-70页 |
| 3.1 氧化钨薄膜的着色效率与其影响因素 | 第34-39页 |
| 3.1.1 氧氩流量比对着色效率的影响 | 第34-38页 |
| 3.1.2 沉积气压对薄膜着色效率的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.3 小结 | 第39页 |
| 3.2 氧化钨薄膜的光学调制幅度与其影响因素 | 第39-53页 |
| 3.2.1 氧氩流量比对光学调制幅度的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.2 沉积气压对光学调制幅度的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.3 注入电荷量对光学调制幅度的影响 | 第45-49页 |
| 3.2.4 薄膜膜厚对光学调制幅度的影响 | 第49-52页 |
| 3.2.5 小结 | 第52-53页 |
| 3.3 氧化钨薄膜的响应时间与其影响因素 | 第53-60页 |
| 3.3.1 氧氩流量比对响应时间的影响 | 第53-56页 |
| 3.3.2 沉积气压对响应时间的影响 | 第56-58页 |
| 3.3.3 基片入射角度对响应时间的影响 | 第58-59页 |
| 3.3.4 基片温度对响应时间的影响 | 第59页 |
| 3.3.5 小结 | 第59-60页 |
| 3.4 影响氧化钨薄膜的循环寿命因素 | 第60-70页 |
| 3.4.1 基片温度及注入电荷量 | 第60-67页 |
| 3.4.2 沉积薄膜气压 | 第67-68页 |
| 3.4.3 小结 | 第68-70页 |
| 第4章 无机固态电解质及离子存储层的设计 | 第70-75页 |
| 4.1 氧化硅基无机固体电解质材料的设计 | 第70-72页 |
| 4.2 五氧化二钒基离子存储层的设计 | 第72-74页 |
| 4.3 小结 | 第74-75页 |
| 第5章 结论与展望 | 第75-77页 |
| 5.1 结论 | 第75-76页 |
| 5.2 展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 附录 ：研究生期间已发表的学术论文 | 第83页 |
