| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 新型非易失性存储器 | 第8-13页 |
| 1.1.1 相变存储器PRAM | 第8-9页 |
| 1.1.2 铁电存储器FRAM | 第9-10页 |
| 1.1.3 磁阻存储器MRAM | 第10-11页 |
| 1.1.4 阻变存储器RRAM | 第11-13页 |
| 1.2 阻变存储器的研究现状与技术优势 | 第13-15页 |
| 1.2.1 阻变存储器的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.2 阻变存储器的技术优势 | 第14-15页 |
| 1.3 本研究课题的提出及论文安排 | 第15-19页 |
| 1.3.1 本研究课题的提出 | 第15-17页 |
| 1.3.2 论文安排 | 第17-19页 |
| 2 介质膜的制备方法及表征技术 | 第19-25页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| 2.1.1 热丝化学气相沉积(HWCVD)简介 | 第19-20页 |
| 2.1.2 HWCVD制备氧化硅薄膜的实验步骤 | 第20-21页 |
| 2.2 表征技术 | 第21-25页 |
| 2.2.1 椭圆偏振测厚仪 | 第21页 |
| 2.2.2 傅里叶红外光谱仪 | 第21-23页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱仪 | 第23-24页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 3 硅钨氧薄膜的表征结果分析 | 第25-32页 |
| 3.1 生长速率分析 | 第25-26页 |
| 3.2 折射率分析 | 第26页 |
| 3.3 FTIR分析 | 第26-28页 |
| 3.4 XPS分析 | 第28-30页 |
| 3.5 SEM分析 | 第30-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 Ag/SixWyOz/Si结构RRAM器件的制备及阻变特性分析 | 第32-41页 |
| 4.1 RRAM器件的制备及测试方法 | 第32-35页 |
| 4.1.1 介质薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 4.1.2 Ag电极的制备 | 第33页 |
| 4.1.3 RRAM器件的测试方法 | 第33-35页 |
| 4.2 Ag/SiXWYOZ/Si结构RRAM器件的I-V测试结果分析 | 第35-37页 |
| 4.3 I-V曲线拟合及阻变机理 | 第37-40页 |
| 4.3.1 RRAM器件的阻变机理 | 第37-38页 |
| 4.3.2 Ag/SiXWYOZ/Si结构RRAM器件的阻变机理分析 | 第38-40页 |
| 4.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 结论 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
