| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 过渡金属二硫化物MX2的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2 单层过渡金属二硫化物MX2的能带结构 | 第12-13页 |
| 1.3 过渡金属二硫化物MX2的物性 | 第13-18页 |
| 1.3.1 Weyl半金属 | 第13-18页 |
| 1.3.1.1 手性反常 | 第15-16页 |
| 1.3.1.2 负磁阻效应和非局域性 | 第16-17页 |
| 1.3.1.3 费米弧 | 第17-18页 |
| 1.4 二维超导电性 | 第18-29页 |
| 1.4.1 界面引起的超导电性 | 第21-22页 |
| 1.4.2 单层FeSe中的高温超导电性 | 第22-23页 |
| 1.4.3 电场诱导的二维超导电性 | 第23-25页 |
| 1.4.4 机械剥离的2D超导体 | 第25页 |
| 1.4.5 二维超导体的量子金属态 | 第25-28页 |
| 1.4.6 Ising超导电性 | 第28-29页 |
| 1.5 本文的研究动机 | 第29-30页 |
| 第二章 样品制备与测量仪器 | 第30-37页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 少层MoTe_2样品的生长及器件微加工制备 | 第30-32页 |
| 2.3 NbSe_2样品的生长 | 第32页 |
| 2.4 测量仪器 | 第32-37页 |
| 2.4.1 ~3He制冷机 | 第33-34页 |
| 2.4.2 综合物性测量系统(PPMS) | 第34页 |
| 2.4.3 稀释制冷机 | 第34-37页 |
| 第三章 少层MoTe_2的Ising超导电性 | 第37-52页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 少层MoTe_2的基本输运性质 | 第38-47页 |
| 3.2.1 Few-layerMoTe_2的超导增强现象 | 第39-42页 |
| 3.2.2 少层MoTe_2中的二维超导电性 | 第42-46页 |
| 3.2.3 少层MoTe_2中的Ising超导电性 | 第46-47页 |
| 3.3 少层1Td-MoTe_2中的超导—绝缘体转变 | 第47-49页 |
| 3.4 少层NbSe_2的超导性质 | 第49-52页 |
| 第四章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
