| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 TiO_2的结构和性质 | 第12-21页 |
| 1.2.1 TiO_2的结构与性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 TiO_2光催化性能的研究 | 第13-18页 |
| 1.2.2.1 TiO_2的光催化机理 | 第13-15页 |
| 1.2.2.2 TiO_2光催化性能的影响因素 | 第15-16页 |
| 1.2.2.3 TiO_2光催化改性的主要方法 | 第16-17页 |
| 1.2.2.4 TiO_2光催化性能的应用前景 | 第17-18页 |
| 1.2.3 TiO_2亲水性能的研究 | 第18-21页 |
| 1.2.3.1 TiO_2的亲水性能机理 | 第18-19页 |
| 1.2.3.2 TiO_2亲水性能的影响因素 | 第19-20页 |
| 1.2.3.3 亲水性能的应用前景 | 第20-21页 |
| 1.3 纳米TiO_2的制备方法 | 第21-23页 |
| 1.4 本课题的研究意义及创新点 | 第23-25页 |
| 1.4.1 立题的依据及研究内容 | 第23-24页 |
| 1.4.2 创新点 | 第24-25页 |
| 第二章 实验 | 第25-33页 |
| 2.1 APCVD法TiO_2纳米线的制备过程 | 第25-29页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第25-26页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第26页 |
| 2.1.3 实验装置及工艺流程 | 第26-27页 |
| 2.1.4 实验操作 | 第27-29页 |
| 2.1.4.1 实验前的预处理 | 第28页 |
| 2.1.4.2 实验操作步骤 | 第28-29页 |
| 2.2 测试设备方法及其原理 | 第29-33页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第29-30页 |
| 2.2.2 环境扫描电子显微镜（ESEM） | 第30页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜（TEM） | 第30页 |
| 2.2.4 紫外-可见分光光度计（UV-VIS） | 第30页 |
| 2.2.5 四探针测试仪 | 第30-31页 |
| 2.2.6 光催化性能的测试 | 第31页 |
| 2.2.7 亲水性的测试 | 第31-33页 |
| 第三章 玻璃基板上APCVD法制备TiO_2纳米线工艺和性能研究 | 第33-66页 |
| 3.1 APCVD法TiO_2纳米线的形成及机理研究 | 第33-38页 |
| 3.1.1 玻璃基板上TiO_2纳米线的形成及表征 | 第33-36页 |
| 3.1.2 Ti5Si3薄膜层形成的热力学分析 | 第36-38页 |
| 3.1.3 TiO_2纳米线生长机理的研究 | 第38页 |
| 3.2 沉积温度对TiO_2纳米线制备的影响 | 第38-46页 |
| 3.2.1 不同沉积温度下制备的TiO_2纳米线 | 第38-39页 |
| 3.2.2 沉积温度对TiO_2纳米线晶相的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.3 沉积温度对TiO_2纳米线表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.4 沉积温度对TiO_2纳米线光催化性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.5 沉积温度对TiO_2纳米线亲水性能的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.6 沉积温度对薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
| 3.3 沉积时间对TiO_2纳米线制备的影响 | 第46-52页 |
| 3.3.1 不同沉积时间下制备的TiO_2纳米线 | 第46页 |
| 3.3.2 沉积时间对TiO_2纳米线晶相的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.3 沉积时间对TiO_2纳米线表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.4 沉积时间对TiO_2纳米线光催化性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.5 沉积时间对TiO_2纳米线亲水性能的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.6 沉积时间对薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 反应总气流量对TiO_2纳米线制备的影响 | 第52-59页 |
| 3.4.1 不同反应总气流量下制备的TiO_2纳米线 | 第52-53页 |
| 3.4.2 反应总气流量对TiO_2纳米线晶相的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.3 反应总气流量对TiO_2纳米线表面形貌的影响 | 第54-56页 |
| 3.4.4 反应总气流量对TiO_2纳米线光催化性能的影响 | 第56-57页 |
| 3.4.5 反应总气流量对TiO_2纳米线亲水性能的影响 | 第57-58页 |
| 3.4.6 反应总气流量对薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| 3.5 Si/Ti摩尔比对TiO_2纳米线制备的影响 | 第59-66页 |
| 3.5.1 不同Si/Ti摩尔比下制备的TiO_2纳米线 | 第59页 |
| 3.5.2 Si/Ti摩尔比对TiO_2纳米线晶相的影响 | 第59-61页 |
| 3.5.3 Si/Ti摩尔比对TiO_2纳米线表面形貌的影响 | 第61-62页 |
| 3.5.4 Si/Ti摩尔比对TiO_2纳米线光催化性能的影响 | 第62-63页 |
| 3.5.5 Si/Ti摩尔比对TiO_2纳米线亲水性能的影响 | 第63-64页 |
| 3.5.6 Si/Ti摩尔比对薄膜电学性能的影响 | 第64-66页 |
| 第四章 结论与展望 | 第66-69页 |
| 4.1 结论 | 第66-68页 |
| 4.2 研究展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第75页 |
