| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 MOSFET器件的发展现状和挑战 | 第8-9页 |
| 1.2 无结晶体管 | 第9-14页 |
| 1.2.1 无结晶体管的工作机理 | 第10页 |
| 1.2.2 无结晶体管主要性能及其优势 | 第10-13页 |
| 1.2.3 不同无结晶体管结构及其特点 | 第13-14页 |
| 1.3 无结晶体管阈值电压模型的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的研究工作和内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 无结晶体管阈值电压提取方法 | 第18-32页 |
| 2.1 器件结构与特性 | 第18-19页 |
| 2.2 阈值电压提取方法 | 第19-29页 |
| 2.2.1 常数电流法 | 第19-20页 |
| 2.2.2 线性提取法 | 第20-21页 |
| 2.2.3 阈值电流拟合法 | 第21-22页 |
| 2.2.4 二阶导数法 | 第22-23页 |
| 2.2.5 对数二阶导数法 | 第23-24页 |
| 2.2.6 跨导提取法 | 第24-25页 |
| 2.2.7 Y-function法 | 第25-27页 |
| 2.2.8 Beta-function法 | 第27-28页 |
| 2.2.9 跨导电流比例法 | 第28-29页 |
| 2.3 不同阈值电压提取方法的比较 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 SOI三栅无结晶体管的电势和阈值电压模型 | 第32-50页 |
| 3.1 亚阈值区电势模型推导 | 第32-37页 |
| 3.2 亚阈值区电势模型验证 | 第37-42页 |
| 3.2.1 沟道截面的二维电势分布 | 第38页 |
| 3.2.2 纳米线宽度对中心电势的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 栅氧化层厚度对中心电势的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.4 沟道掺杂浓度对中心电势的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.5 栅电压对中心电势的影响 | 第41页 |
| 3.2.6 衬偏电压对中心电势的影响 | 第41-42页 |
| 3.3 阈值电压模型推导 | 第42-45页 |
| 3.4 阈值电压模型验证 | 第45-49页 |
| 3.4.1 纳米线高度对阈值电压的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.2 纳米线宽度对阈值电压的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.3 栅氧化层厚度对阈值电压的影响 | 第47页 |
| 3.4.4 沟道掺杂浓度对阈值电压的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.5 衬偏电压对阈值电压的影响 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 PN沟道双栅无结晶体管 | 第50-61页 |
| 4.1 PN沟道双栅无结晶体管结构和工作机理 | 第50-51页 |
| 4.2 新结构器件特性 | 第51-54页 |
| 4.3 P型掺杂区参数对阈值电压和开关态电流的影响 | 第54-60页 |
| 4.3.1 P型掺杂区厚度 | 第54-56页 |
| 4.3.2 P型掺杂区长度 | 第56-58页 |
| 4.3.3 P型掺杂区掺杂浓度 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 论文总结 | 第61-62页 |
| 5.2 创新性工作 | 第62页 |
| 5.3 研究展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |