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高压下ZnS的光电导

内容提要第1-7页
第一章 前言第7-19页
   ·研究背景第7页
   ·国内外研究现状第7-8页
   ·半导体材料的光电应用第8-12页
     ·发光二极管(Light Emitting Diode,LED)第8-9页
     ·激光二极管(Laser Diode ,LD)第9-10页
     ·太阳电池(Solar Cell-SC)第10-12页
     ·光探测器第12页
   ·半导体的光电导第12-17页
     ·半导体的能带结构第12-13页
     ·半导体的导电原理第13-14页
     ·光生载流子的产生第14-15页
     ·光生载流子的复合第15页
     ·基本公式第15-17页
   ·论文的选题目的和意义第17页
   ·本论文各部分的主要内容第17-19页
第二章 高压电学研究第19-28页
   ·高压物理学发展第19-20页
   ·静态高压产生装置第20-22页
   ·高压电学研究第22-25页
     ·高压电学研究的历史第22-23页
     ·高压电学测量的方法第23-24页
     ·高压电学研究的意义第24-25页
   ·测量微电路在金刚石对顶砧上的集成第25-27页
     ·金属钼膜的溅射第25-26页
     ·钼薄膜的图形化第26页
     ·绝缘层的制备第26-27页
   ·小结第27-28页
第三章 ZNS 多晶在压力下的光电导第28-52页
   ·ZNS 的基本结构和性质第28-31页
     ·ZnS 的基本结构第28-29页
     ·ZnS 的红外性能第29页
     ·ZnS 的光电性质第29-30页
     ·发光性能第30-31页
     ·光电催化性能第31页
     ·化工第31页
   ·多晶材料的势垒模型第31-37页
     ·n 型半导体多晶的微观结构第31-32页
     ·双肖特基势垒模型第32-34页
     ·多晶半导体的导电性质第34-37页
   ·ZNS 多晶粉末的高压电学性质第37-48页
   ·持续光电导第48-51页
   ·小结第51-52页
第四章 总结与展望第52-54页
   ·总结第52-53页
   ·展望第53-54页
参考文献第54-59页
致谢第59-60页
摘要第60-62页
ABSTRACT第62-64页

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