内容提要 | 第1-7页 |
第一章 前言 | 第7-19页 |
·研究背景 | 第7页 |
·国内外研究现状 | 第7-8页 |
·半导体材料的光电应用 | 第8-12页 |
·发光二极管(Light Emitting Diode,LED) | 第8-9页 |
·激光二极管(Laser Diode ,LD) | 第9-10页 |
·太阳电池(Solar Cell-SC) | 第10-12页 |
·光探测器 | 第12页 |
·半导体的光电导 | 第12-17页 |
·半导体的能带结构 | 第12-13页 |
·半导体的导电原理 | 第13-14页 |
·光生载流子的产生 | 第14-15页 |
·光生载流子的复合 | 第15页 |
·基本公式 | 第15-17页 |
·论文的选题目的和意义 | 第17页 |
·本论文各部分的主要内容 | 第17-19页 |
第二章 高压电学研究 | 第19-28页 |
·高压物理学发展 | 第19-20页 |
·静态高压产生装置 | 第20-22页 |
·高压电学研究 | 第22-25页 |
·高压电学研究的历史 | 第22-23页 |
·高压电学测量的方法 | 第23-24页 |
·高压电学研究的意义 | 第24-25页 |
·测量微电路在金刚石对顶砧上的集成 | 第25-27页 |
·金属钼膜的溅射 | 第25-26页 |
·钼薄膜的图形化 | 第26页 |
·绝缘层的制备 | 第26-27页 |
·小结 | 第27-28页 |
第三章 ZNS 多晶在压力下的光电导 | 第28-52页 |
·ZNS 的基本结构和性质 | 第28-31页 |
·ZnS 的基本结构 | 第28-29页 |
·ZnS 的红外性能 | 第29页 |
·ZnS 的光电性质 | 第29-30页 |
·发光性能 | 第30-31页 |
·光电催化性能 | 第31页 |
·化工 | 第31页 |
·多晶材料的势垒模型 | 第31-37页 |
·n 型半导体多晶的微观结构 | 第31-32页 |
·双肖特基势垒模型 | 第32-34页 |
·多晶半导体的导电性质 | 第34-37页 |
·ZNS 多晶粉末的高压电学性质 | 第37-48页 |
·持续光电导 | 第48-51页 |
·小结 | 第51-52页 |
第四章 总结与展望 | 第52-54页 |
·总结 | 第52-53页 |
·展望 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
摘要 | 第60-62页 |
ABSTRACT | 第62-64页 |