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基于CMOS工艺的高线性度低噪声放大器研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-13页
    1.1 本论文研究的目的和意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状及发展趋势第10-12页
    1.3 论文研究内容和结构安排第12-13页
第2章 低噪声放大器概述第13-31页
    2.1 衡量低噪声放大器工作的指标第13-20页
        2.1.1 噪声系数第13-14页
        2.1.2 增益第14页
        2.1.3 输入反射系数第14-16页
        2.1.4 稳定性第16页
        2.1.5 线性度第16-20页
    2.2 噪声分析第20-23页
    2.3 阻抗匹配第23-30页
        2.3.1 输入端并联电阻的共源放大器第24-26页
        2.3.2 带电阻反馈的共源放大器第26-27页
        2.3.3 共栅放大器第27-29页
        2.3.4 源简并电感的共源放大器第29-30页
    2.4 本章小结第30-31页
第3章 高线性度低噪声放大器原理分析第31-47页
    3.1 基本电路结构分析第31-39页
        3.1.1 阻抗匹配第31-33页
        3.1.2 增益分析第33-34页
        3.1.3 噪声分析第34-36页
        3.1.4 三阶交调点分析第36-39页
    3.2 源简并电感的共源共栅放大器第39-41页
    3.3 提高线性度的方案第41-46页
        3.3.1 最优偏置法第42-43页
        3.3.2 前馈法第43-44页
        3.3.3 导数叠加法第44-46页
    3.4 本章小结第46-47页
第4章 高线性度低噪声放大器芯片设计第47-61页
    4.1 电路设计指标第47页
    4.2 整体构架第47-49页
    4.3 电路设计过程第49-54页
        4.3.1 晶体管尺寸和偏置的选择第49-50页
        4.3.2 输入和输出匹配网络(以单端电路为例说明)第50-51页
        4.3.3 补偿支路设计第51-54页
    4.4 版图设计第54-57页
        4.4.1 版图设计规则第54-55页
        4.4.2 整体版图规划第55-57页
    4.5 仿真结果第57-61页
        4.5.1 直流仿真第57页
        4.5.2 S 参数仿真第57-58页
        4.5.3 线性度仿真第58-59页
        4.5.4 电路性能总结第59-61页
第5章 高线性度低噪声放大器芯片测试第61-67页
    5.1 测试方案第61-62页
    5.2 测试结果第62-65页
        5.2.1 噪声性能第62-63页
        5.2.2 S 参数测试第63-64页
        5.2.3 线性度测试第64-65页
    5.3 本章小结第65-67页
结论第67-69页
参考文献第69-72页
攻读学位期间发表的论文与研究成果清单第72-73页
致谢第73页

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